Intel und Micron entwickeln schnellere Flash-Speicher

Neue NAND-Flash-Chips sollen mit bis zu 200 MByte/s arbeiten

von Björn Greif am 1. Februar 2008 , 18:32 Uhr

IM Flash Technologies, ein Joint Venture von Intel und Micron, hat eine neue Fertigungstechnik für NAND-Flash entwickelt. Mit ihrer Hilfe sollen sich Speicherchips produzieren lassen, die bis zu fünfmal schneller arbeiten als bisherige Flash-Module.

Herkömmlicher Flash-Speicher bietet eine durchschnittliche Übertragungsrate von 40 MByte/s im Lesemodus und maximal 20 MByte/s im Schreibbetrieb. Mit den neuen NAND-Chips sollen bis zu 200 MByte/s beim Lesen und 100 MByte/s beim Schreiben möglich sein.

Der Geschwindigkeitszuwachs wird den Entwicklern zufolge durch eine aufgebohrte ONFI-2.0-Spezifikation (Open NAND Flash Interface) erreicht, die eine Chip-Architektur mit vier Ebenen sowie höhere Taktraten ermöglicht. Dadurch sollen sich Bandbreitenvorteile von Schnittstellen wie PCI-Express und dem kommenden USB 3.0 besser ausnutzen lassen. Noch ist allerdings unklar, wann die neuen NAND-Flash-Chips auf den Markt kommen.