IBM testet neue SOI-Chip-Technik

IBM (Börse Frankfurt: IBM) richtet in seinem Chip-Fertigungswerk in East Fishkill, New York, gerade ein Pilotprojekt für die Produktion von SOI-Chips ein. Das als „Silicon on Insulator“ (SOI) bezeichnete Verfahren soll den Strombedarf von Prozessoren um die Hälfte senken und ihre Leistung um 20 bis 35 Prozent steigern.

Laut IBM soll mit der Massenfertigung der SOI-Chips noch in diesem Jahr begonnen werden. Die für Apple (Börse Frankfurt: APC) gefertigten G3-PowerPC-Chips könnten auf diese Weise auf eine Taktrate von rund 540 MHz hochgeschraubt werden. Aber auch 64-Bit-PowerPC-Prozessoren können mit der Technik aufgerüstet werden. Weiterentwicklungen versprechen laut dem Chefingenieur von IBMs Server Group, David Allen, noch weit höhere Geschwindigkeiten.

Das Verfahren basiert auf der Zufuhr von Sauerstoff, der als Isolationsschicht unter die Oberfläche von Silizum-Waferscheiben aufgebracht wird, aus denen die einzelnen Chips geschnitten werden. Die Isolationsschicht erzeugt eine Art dünnen Kanal, der elektrische Impulse „reibungslos“ und deshalb schneller sowie mit geringerem Strombedarf transportiert. „Das ist wie Daten über Eis zu schieben, statt sie durch Sand zu ziehen“, erklärt IBM-Sprecher Tom Beermann.

Mit der in jüngster Zeit oft genannten Kupfertechnologie hat IBMs SOI-Verfahren nichts zu tun: Kupfer als Ersatz für Aluminium macht die interne Verdrahtung der Prozessoren effizienter, SOI verbessert die Transistoren. „Die Kombination aus beiden macht´s“, kommentiert Allens Kollege Dennis Cox.

Kontakt: IBM, Tel.: 07031/160