Forscher bei Infineon Technologies (zuvor Siemens Halbleiter) in Erlangen und Dresden haben eine neue „Deep-UV-Foto-Resist-Technik“ für die Halbleiterfertigung entwickelt. Mit diesem Prozeß wurden jetzt weltweit kleinste Kontaktloch-Strukturen von nur 30 Nanometern Durchmesser erzeugt – 1500 mal feiner als ein menschliches Haar. Und zwar mit konventioneller optischer Lithographie, einer Technologie, die nach bisheriger Meinung schon bei 70 Nanometer-Strukturen an die Grenzen der Auflösung stößt.
Der von Infineon Technologies entwickelte „CARL-Prozeß“ (Chemisches Aufweiten von Resist-Linien) umgeht dieses Problem mit einem Trick. Durch eine einfache chemische Nachbehandlung werden Löcher, die auf konventionelle Weise in eine dünne Foto-Resist-Schicht belichtet wurden, gezielt von 140 Nanometer Durchmesser auf 30 Nanometer verkleinert.
Mit diesem neuen Verfahren sei es jetzt sogar möglich gewesen, diese kleinen Löcher in eine 633 Nanometer dicke Siliziumoxidschicht zu übertragen, wie sie in der Herstellung von Silizium-Chips verwendet wird, berichtet Infineon.
Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 089/23422767
Cybersecurity Rund um die Uhr können nur 33 Prozent der Unternehmen hierzulande gewährleisten. Die Studie…
BSI und Bitkom haben betroffene Unternehmen befragt. Fast die Hälfte musste zeitweise den Betrieb einstellen.
In der zunehmend digitalisierten Geschäftswelt werden Unternehmen mit immer komplexeren Cyber-Bedrohungen konfrontiert. Herkömmliche Sicherheitsmaßnahmen reichen…
Die Malware steckt unter anderem in Mods für beliebte Android-Games. Die Hintermänner nutzen aber auch…
Per Google Apps Script getarnte Links sollen bei Opfern vertrauenswürdig erscheinen. Die Phishing-Nachrichten werden auch…
Der digitale Wandel hat die Art und Weise verändert, wie Verbraucherrechte gehandhabt werden. Insbesondere in…