Samsung Electronics hat die ersten Exemplare seiner gestern vorgestellten 32 MBit Uni-transistor random access memory (UtRAM)-Speicherbausteine an Handyhersteller ausgeliefert. UtRAMs arbeitet mit einer vergleichbaren Spannung und ähnlichem Datentransfervolumen wie SRAMs in herkömmlichen Mobiltelefonen, sind aber bedeutend billiger zu produzieren.
Die DRAM-Speicherzelle des UtRAM-Bausteins verfügt lediglich über einen Transistor und einen Kondensator, im Falle von SRAM kommen sechs Transistoren auf eine Zelle. Laut Samsung können die neuen Speicher problemlos die bislang verwendeten SRAM-Einheiten ersetzen.
UtRAM arbeitet mit 30 Milliampere (mA), im Stand-by-Modus mit 200 Microampere und ausgeschalten mit 10 Microampere.
Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213
Ausgeklügelte Phishing-Kampagne verwendet eine weiterentwickelte Version der Rhadamanthys-Stealer-Malware.
Die EU-Kommission kritisiert die Verknüpfung von Facebook und dem hauseigenen Online-Kleinanzeigendienst. Sie sieht darin einen…
Fast zwei Drittel halten jedoch eine Umsetzung aller Vorgaben von NIS 2 bis Jahresende für…
Mit dem Dekryptor von Bitdefender können Opfer von Attacken mit der Shrinklocker-Ransomware Dateien wiederherstellen.
In der Vorweihnachtszeit ist vor allem Malvertising auf dem Vormarsch. Cyberkriminelle locken Nutzer über schädliche…
Dazu trägt unter der Infostealer Lumma-Stealer bei. Hierzulande dominiert der Infostealer Formbook die Malware-Landschaft.