Samsung Electronics hat die ersten Exemplare seiner gestern vorgestellten 32 MBit Uni-transistor random access memory (UtRAM)-Speicherbausteine an Handyhersteller ausgeliefert. UtRAMs arbeitet mit einer vergleichbaren Spannung und ähnlichem Datentransfervolumen wie SRAMs in herkömmlichen Mobiltelefonen, sind aber bedeutend billiger zu produzieren.
Die DRAM-Speicherzelle des UtRAM-Bausteins verfügt lediglich über einen Transistor und einen Kondensator, im Falle von SRAM kommen sechs Transistoren auf eine Zelle. Laut Samsung können die neuen Speicher problemlos die bislang verwendeten SRAM-Einheiten ersetzen.
UtRAM arbeitet mit 30 Milliampere (mA), im Stand-by-Modus mit 200 Microampere und ausgeschalten mit 10 Microampere.
Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213
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