Fujitsu Microelectronics hat ein Multichip-Gehäuse für den Einsatz als Daten- und Arbeitsspeicher in Handys der nächsten Generation vorgestellt, in dem sowohl ein NAND Flash Memory als auch ein Fast Cycle RAM (FCRAM) untergebracht sind.
Fujitsus neue MCP-Bausteine MB84VN23381EJ und MB84VN23391EJ sind mit 64 MBit NAND Flash Memory und 16 MBit FCRAM mit SRAM-Schnittstelle ausgestattet. Das NAND Flash ermögliche die Seitenprogrammierung in 200 µs, einen wahlfreien Lesezugriff (Random read access) in 10 ms, seriellen Lesezugriff in maximal 70 ns innerhalb einer Seite sowie das Löschen eines kleinen Blocks in 2 ms. Die Zeit für einen wahlfreien Lesezugriff beim FCRAM SRAM Interface beträgt laut Unternehmensangaben 90 ns pro Wort.
Das NAND Flash Memory besitzt eine x16-Konfiguration. Damit wird gegenüber herkömmlichen NAND Memories in x8-Konfiguration, wie sie derzeit in Mobiltelefonen eingesetzt werden, die doppelte Bandbreite erreicht. Der MB84VN23381EJ enthält einen gemeinsamen Port für den Daten-Ein/Ausgang für Flash und FCRAM, während die Anschlüsse beim MB84VN23391EJ getrennt sind.
Muster der neuen MCPs sind ab sofort im Kunststoff-BGA-Gehäuse verfügbar. Die Abmessungen des Gehäuses betragen 11 mm x 12 mm x 1,4 mm mit einem Pitch-Abstand der Anschlüsse von 0,8 mm. Preise werden auf Anfrage genannt.
Kontakt:
Fujitsu Computer, Tel.: 06172/18800 (günstigsten Tarif anzeigen)
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