Samsung stellt 300 MHz-DDR SDRAM vor

Nach dem 64 MByte DDR-SDRAM-Modul hat Samsung Electronics jetzt einen 128 MByte Double Data Rate Synchronous DRAM-Speicher (DDR SDRAM) mit einer Taktung von 300 MHz angekündigt. Das Modul soll hauptsächlich für hochauflösende Grafik- und Highspeed Videoanwendungen eingesetzt werden. Erste Muster sind jetzt erhältlich. Die Massenproduktion soll jedoch erst im dritten Quartal starten.

Nach eigenen Angaben sollen die Speicher für Notebooks, WANs, LANs sowie für Internet-Router und Level 3 Cache Speicher für High-End Server Applikationen verwendet werden.

Das 128 MByte-Modul ist in einer vier mal 32 MByte-Konfiguration gefertigt. Durch eine neuartige Architektur des Speicherbausteins wird nach Herstellerangaben eine Datentransferrate von bis zu 2,4 GByte pro Sekunde erreicht. Damit besitzt das RAM-Modul angeblich den höchsten Datendurchsatz unter allen verfügbaren Geräten seiner Klasse.

Bei dem Chip kommt Samsungs Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)-Technologie zum Einsatz. Durch das spezielle Verfahren soll der Speicher mit nur 2,5 Volt verwendet werden können.

Double Data Rate Synchronous-DRAMs arbeiten mit doppelt so hoher Geschwindigkeit wie herkömmliche SDRAMs. Momentan werden DDR-Chips hauptsächlich in Grafikboards verbaut. Nach Samsungs Einschätzung sollen die schnelleren Speicherchips jedoch bald auch vermehrt in Servern, Workstations und anderen Rechnern eingesetzt werden.

Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213 (günstigsten Tarif anzeigen)