Schnellere Speicher für Mobiltelefone vorgestellt

Intel (Börse Frankfurt: INL) stellte heute einen neuen Flash Speicher-Chip vor, der die Leistung von Mobiltelefonen, Personal Digital Assistants und weiteren drahtlosen Geräten verbessern soll. Das Synchronous Strataflash Memory liest Daten laut dem Hersteller angeblich bis zu fünfmal schneller als frühere Speichergenerationen und beschleunigt damit den Datenzugriff. Im Burst Mode können so Intel zufolge bis zu 92 MByte/s vom Speicher übertragen werden.

Der Speicherbaustein ist die dritte Generation der Multi-Level Cell (MLC)-Technologie und wird mit der 0,18-Mikron Prozesstechnologie gefertigt. Der Hersteller führte die MLC-Technologie 1997 ein. Die Technik kombiniert eine Lösung für die Ausführung von Code und die Speicherung von Daten in einem Chip.

„Seit 1997 haben wir über zwei Milliarden Megabits an Strataflash ausgeliefert. Im nächsten Jahr rechnen wir mit einer Verdopplung dieser Zahl, da mehr Mobiltelefone unsere Technologie nutzen werden“, sagte Curt Nichols, Vice President und General Manager der Intel Flash Products Group.

Der Speicher besitzt durch den Burst Mode eine hohe Lesegeschwindigkeit sowie einen Eight-Word Page Mode. Schnelle Lesezugriffe sollen es ermöglichen, dass Software-Anwendungen direkt im Flash-Speicher ausgeführt werden, ohne die Programme zuvor in einen anderen Bereich kopieren zu müssen. Speicherbaustein verwendet drei Volt für den Kern und ist für zwei I/O-Welten verfügbar – drei oder 1,8 Volt.

Das drei Volt-Modul wird mit Dichten von 64 bis 256 MBit angeboten. Muster der 128 MBit-Version werden gerade ausgeliefert. Die volle Produktion startet im April 2002. Bei einer Abnahme von 10.000 Stück kosten die 64 MBit-Chips jeweils zehn Dollar und die 256 MBit-Version 35 Dollar.

Kontakt: Intel, Tel.: 089/9914303 (günstigsten Tarif anzeigen)