IBM mit neuem Transistor

IBM (Börse Frankfurt: IBM) wird auf der International Electronic Device Manufactures Conference (IEDM) in Washington D.C. eine neue Art von Transistor vorstellen, die die Leistungsfähigkeit von Prozessoren deutlich steigern, den Stromverbrauch aber senken soll. Der „Double-Gate“-Transistor bietet dazu – wie der Name schon sagt – zwei Gates, mit denen die doppelte Menge an Arbeit verrichtet werden könne. Dabei seien Chips mit den neuen Transistoren kleiner als heute gebräuchliche Prozessoren.

Basis der neuen Technik sei die Silicon-On-Insulator (SOI)-Technologie, die erst die Umstellung der CPU-Fertigung auf CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) ermöglicht habe. „Die neuen Transistoren eignen sich für extrem leistungsfähige Microchips, die gleichzeitig kaum Strom verbrauchen“, bestätigte der IBM-Manager Bijan Davari. Man habe bereits erste Exemplare gefertigt, auf breiter Front sollen die Double Gate Transistoren jedoch erst 2006 zum Einsatz kommen.

Auf der IEDM-Konferenz will Big Blue noch weitere neue Produkte und Techniken vorführen, darunter der „kleinste jemals gefertigte SRAM“ und ein SOI-basierter Photodetector. Zusätzlich hat IBM eine Studie angekündigt, in der die maximale Geschwindigkeit eines Transistors auf 30 THz beziffert. Wie diese Leistung erreicht werden kann will IBM ebenfalls erläutern.

Auch AMD (Börse Frankfurt: AMD) hat heute einen neuen Transistorentyp angekündigt. Der angeblich schnellste CMOS-Transistor (Complementary Metal Oxide Semiconductor) der Welt wurde im Submicron Development Center entwickelt und soll bis zu 3,33 Billionen Schaltvorgänge pro Sekunde erreichen können (ZDNet berichtete).

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