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Winbond stellt 512 MByte DDR-Chip vor

Winbond Electronics hat einen 512 MByte DDR-Speicherchip vorgestellt. Der zusammen mit Toshiba entwickelte Halbleiter wird laut dem Hersteller in 0,13-Miron-Verfahren hergestellt.

Winbond hofft nach eigenen Angaben im DDR-Segment des Speichergeschäfts im kommenden Jahr Marktführer zu werden. „Das 0,13 Mikron-Herstellungsverfahren ist Teil von Winbonds Strategie wie unter anderem auch die aggressive Produktneuvorstellung bei Flash- und Pseudo-SDRAMs“, hieß es in einer Stellungnahme des Unternehmens.

Der DDR-DRAM-Chip soll durch das neue Verfahren die Produktionskosten senken und dabei dennoch einen höheren Bustakt erlauben. Der Halbleiter wird laut Winbond in den Massenmarkt im zweiten Quartal 2002 starten.

ZDNet.de Redaktion

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