IBM verbessert Handy-Akku

IBM (Börse Frankfurt: IBM) hat heute einen verbesserten „Power-Amplifier“ vorgestellt. Diese Komponente wird derzeit in vielen Handys und anderen kabellosen Produkten eingesetzt. Der neue winzige Schaltkreis soll es Handy- und PDA-Hersteller ermöglichen, Kosten sowie Produktgröße zu reduzieren.

Laut IBM sind die neuen Halbleiter die ersten Radio-Frequenz (RF) Stromverstärker-Chips, die eine Silicon Germanium (SiGe)-Technologie einsetzen.

„Es ist ein wahrer Durchbruch in dieser Produktkategorie“, sagte der Vice President der Abteilung Communications Resources und Development Center, Bernard Meyerson. „Einige Experten dachten, solche Chips in SiGe zu fertigen sei nicht möglich, höchstens im teuren Gallium-Arsenid (GaAs)-Verfahren.“

Die SiGe-Chips „laufen kühler“ als GaA-Halbleiter und sollen daher spürbare Verbesserungen bei der thermischen Betriebssicherheit bringen. Der Neuling soll einige weitere Funktionen in sich vereinen. Auch der Stromverstärker soll in einer kleinen Einheit des Halbleiters untergebracht sein.

IBMs neue Technologie soll der Entwicklungen von tragbaren kabellosen Geräten zugute kommen.

Der Hersteller will drei neue SiGe-Chips im Paket anbieten: Den 2022 TDMA (Time Division Multiple Access) IS-54 Power Amplifier mit 800 MHz, den gleich getakteten 2018 CDMA (Code Division Multiple Access) IS-95 und den 2017 PCS CDMA IS-95 mit 1900 MHz.

Kontakt:
IBM, Tel.: 01803/313233 (günstigsten Tarif anzeigen)