IBM (Börse Frankfurt: IBM) meldet die Entwicklung des angeblich weltweit schnellsten Halbleiters. Er soll Geschwindigkeiten von über 110 GHz erreichen, die Signalverarbeitung bewältige er in 4,3 Billionstel einer Sekunde.
Der aktuell vorhandene Test-Schaltkreis wurde nach Unternehmensangaben mit IBMs Silizium-Germanium Chip-Technologie entwickelt. Diese hatte Big Blue im Juni vergangenen Jahres vorgestellt: Sie basiert darauf, eine Schicht mit einem Silizium-Germanium-Gitter in einen Chip einzubauen, was die Effektivität der Transformatoren steigern soll. IBM nennt die Prozedur „strained silicon“, „gestrecktes Silizium“.
Der Name „gestrecktes Silizium“ kommt von dem Effekt, den die Technologie auf die Atome hat. Eine Layer aus gitterartig angeordnetem Silizium und Germanium, die der Silizium-Schicht des Chips hinzugefügt wird, erhöht laut IBM die Entfernung zwischen den Atomen der ursprünglichen Layer. Dadurch sollen die Atomkräfte verringert werden, die zur Streuung von Elektronen führen. Im Experiment konnte laut Big Blue der Elektronenfluss um bis zu 70 Prozent erhöht werden, was zu 35 Prozent Leistungssteigerung führte. IBM bietet die Silizium-Germanium-Technologie (auch „Sige8HP“ oder kurz „Sige“ genannt) weltweit Kommunikationsausrüstern an, um heutige Netzwerke schneller zu machen. Erste Chips mit der Sige-Technologie werden noch in diesem Jahr erwartet.
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