Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) hat die Fertigung von Low-Power-DRAMs mit 256 MBit aufgenommen. Der stromsparende Speicher sei ab sofort in FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)- und TSOP (Thin Small Outline Package)-Gehäusen verfügbar. Sie sind für Handhelds wie PDAs (Personal Digital Assistants), „intelligente“ Mobiltelefone, Web-Pads oder Digitalkameras gedacht. Bislang lagen Mobile RAMs ausschließlich mit Speicherkapazitäten von 128 MBit vor.
Die Leistungsaufnahme der Bausteine ist im Standby-Betrieb nur halb so groß wie bei einem konventionellen DRAM. Es arbeite mit 2,5 Volt Core-Spannung und 1,8 Volt (oder 2,5 Volt) für die I/Os, während das konventionelle SDRAM eine 3,3-Volt-Versorgung benötige. Zusätzliche spezielle Powermanagement-Funktionen wie TCSR (Temperatur Compensated Self Refresh) und PASR (Partial Array Self Refresh) tragen angeblich zur weiteren Reduzierung der Leistungsaufnahme bei. Mit PASR werden Self-Refresh-Operationen nur für die Bereiche mit gespeicherten Daten durchgeführt. Bei TCSR ist die Refresh-Rate temperaturabhängig: je geringer die Temperatur desto weniger Refreshzyklen und desto geringer die Leistungsaufnahme.
Im Vergleich zu Standard-DRAMs in TSOP-Gehäusen werde der Platzbedarf mehr als halbiert, wenn das FBGA-Chip-Scale-Gehäuse mit Abmessungen von acht auf zwölf Millimeter genutzt werde. Das FBGA basiert auf der speziellen „Board-on-Chip“ (BoC)-Technologie von Infineon.
Infineon hat hat für geringe Stückzahlen den Preis mit 15 Dollar je Speicher angegeben. Preise für größere Mengen erteilt der Konzern auf Anfrage.
Der Münchner Chipspezialist uns Siemen-Spross hat erst kürzlich ein gemeinsames Entwicklungsprogramm mit Micron angekündigt, mit dem beide Unternehmen ein Cellular RAM, ein Spezialspeicher für Mobilfunktelefone, entwickeln wollen (ZDNet berichtete). Cellular RAM zielt auf den Ersatz von herkömmlichen SRAMs ab.
Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404 (günstigsten Tarif anzeigen)
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