AMD vermeldet Durchbruch bei Transistoren und Speichern

AMD (Börse Frankfurt: AMD) will auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) Details zu „einer Reihe neuer technischer Errungenschaften“ präsentieren. Diese seien maßgeblich für die Herstellung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation. Erste Aspekte dieser Forschungen könnten sich frühestens 2005 in Produkten niederschlagen.

Experten erwarten die Vorstellung des im September angekündigten Double Gate- beziehungsweise Fin Field Effect-Transistor (Fin-Fet) von rund zehn Nanometer Länge. Damit hätten nach Unternehmensangaben 100 Millionen solcher Transistoren auf einem einzigen Chip Platz. Transistoren sind bekanntlich die an/aus-Schaltungen auf Mikroprozessoren. Double Gate-Transistoren verdoppeln diese Leistung. Eine vertikale Siliziumschicht soll verhindern, dass im „Aus“-Modus Energie fließt.

AMD hat darüber ein Arbeitspapier angekündigt, in denen der Einsatz von Metall anstelle des heute üblichen Polysilikons geschildert werden soll. Dieses Verfahren könne frühestens 2005 umgesetzt werden. Zusammen mit der Stanford University habe man zudem an neuen Flash-Bausteinen gearbeitet, die Strukturen kleiner als 65 Nanometer einsetzen sollen, so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD.

Konkurrent IBM (Börse Frankfurt: IBM) hat für das IEDM ebenfalls eine Sensation angekündigt: Man habe es nach einem Jahr geschafft, einen angeblich nur sechs Nanometer großen Transistor-Schalter zu entwickeln. Das IEDM findet vom 8. bis 11. Dezember in San Francisco statt.

Kontakt: AMD, Tel.: 089/ 450530 (günstigsten Tarif anzeigen)