Samsung Electronics hat nach eigenen Angaben die Serienfertigung der 1 GByte DDR266- sowie DDR333-Speichermodule begonnen. Die Small-Outline-Dual-Inline-Memory-Module (SODIMMs) bestehen aus sechzehn in zwei Reihen angeordneten 512 MBit DDR-Chips und sind halb so groß wie herkömmliche ungepufferte DIMMs (Dual Inline Memory Module), die in Desktop-PCs verwendet werden.
Die SODIMMs sind für den Einsatz in Notebooks optimiert, die mit auf Intels (Börse Frankfurt: INL) Centrino-Mobiltechnologie basieren, so der Hersteller der Halbleiter-Speichertechnologie. „Mit unseren 512-MBit-DDR-266/333-Chips im platzsparenden sTSOP-Gehäuse verdoppeln wir die Speicherkapazität des Systems und reduzieren den Platzbedarf“, sagt Werner Diesing, Vice President Memory und TFT-LCD Marketing in Europa. Die mit Hilfe der 0,1 µm-Prozesstechnologie gefertigten Module haben laut dem Hersteller 200 Anschlüsse und sind 67,60 auf 31,75 auf 3,80 Millimeter groß. Für die Halbleiter hat Samsung ein ultraleichtes 0,28 Gramm schweres STSOP (Shrink-Thin-Small-Outline-Package) für SODIMMs entwickelt.
Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213 (günstigsten Tarif anzeigen)
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