Infineon will seine US-Chipfabrik in Richmond mit 300-Millimeter-Wafern ausstatten. Der Produktionsbeginn ist für Anfang 2005 geplant. Wie der deutsche Chiphersteller heute mitteilte, wird das geplante Erweiterungsprojekt rund eine Milliarde Dollar kosten. In einer ersten Phase sollen die Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips installiert werden.
Die nach der ersten Erweiterungsphase erwartete Kapazität von 25.000 Wafer-Starts pro Monat wird die derzeitige Kapazität mehr als verdoppeln. Zunächst sollen hochleistungsfähige DRAM-Chips in 110-Nanometer-Technologie hergestellt werden. Eine schnelle Umstellung auf 90-Nanometer-Produkte ist geplant. Das 200-Nanometer-Modul bleibt vorerst in Betrieb. Die Mitarbeiterzahl soll um 800 auf rund 2.550 aufgestockt werden.
„Dank dieser Kapazitätserweiterung in Richmond können wir unser 200-Millimeter-Werk in Dresden schneller von Speicher- auf Logikprodukte umstellen“, erklärte Andreas von Zitzewitz, COO bei Infineon. Die Bauarbeiten an der US-Fabrik waren bereits im Jahr 2000 begonnen, nach Angaben von Infineon aber aufgrund der konjunkturellen Rahmenbedingungen verschoben worden.
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