Philips hat einen Fortschritt bei der LDMOS- (Laterally Diffused MOS) Technologie mitgeteilt. Breitband-CDMA (W-CDMA)-Basisstationherstellern sollen damit erstmals die 30-Prozent-Leistungsgrenze der HF-Leistungsverstärker-Endstufen durchbrechen können.
Die Einführung von W-CDMA-Mobilfunkinfrastrukturen soll den Leistungsschwächen der W-CDMA-Systeme entgegenwirken. Die LDMOS-Technologie der fünften Generation erhöhe die W-CDMA-Leistung um vier Prozent, verglichen mit derzeit verfügbaren LDMOS-Technologien. Dadurch können bei W-CDMA-Basisstationen HF-Leistungsverstärker die Leistungsaufnahme um mehr als 15 Prozent senken.
Mit der neuen LDMOS-Technologie werden in den eigenen 0.14 µm-CMOS-Megafab-Produktionslinien HF-Leistungstransistoren mit einer Größe von 0,4 µm und vierlagiger Metallisierung hergestellt. Die Technologie ist für alle Frequenzbänder von 800 MHz bis 2,2 GHz verwendbar. Für LDMOS-Transistoren der fünften Generation werden Aluminium-Kupfer (AlCu)-Metallisierungen genutzt, welche die Gold-Metallisierungen der vorherigen Generation ersetzen, aber ähnliche Verlässlichkeitsgrade beibehalten.
Die LDMOS-HF-Leistungsprodukte der fünften Generation werden im 4. Quartal 2004 bemustert. Der Beginn der Serienproduktion ist für das 2. Quartal 2005 geplant.
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