Nach einem Bericht von „The Semiconductor Reporter“ setzt AMD bei seinem 90-Nanometer-Herstellungsprozess auch „Strained Silicon“ ein. Dabei handelt es sich um Silizium, dessen Atome zwangsweise weiter auseinander gehalten werden, sodass sich Elektronen schneller bewegen können. Insgesamt seien dadurch, abhängig vom jeweiligen Transistor, Performancevorteile zwischen zehn und 25 Prozent realisierbar.
AMD will die Technologie auch bei seinen 130-Nanomenter-Chips einsetzen. Bislang hat sich das Unternehmen zu Details eher bedeckt gehalten. Ein AMD-Sprecher sagte jedoch, dass die Technologie anders eingesetzt werde als bei IBM und Intel. Beide Unternehmen haben in ihre Chips eine Schicht integriert, die den gewünschten Effekt bei den Silizium-Atomen der darüberliegenden Schicht bewirkt.
Dem für die Fertigung zuständigen AMD-Manager Thomas Sonderman zufolge setze sein Unternehmen die Technologie eher lokal begrenzt ein, das heißt nur einige Bereiche eines Halbleiters weisen die veränderten Eigenschaften auf. Derzeit ist unklar, ob sich damit die selben Geschwindigkeitsvorteile erzielen lassen.
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