Samsung hat die ersten Muster eines 90-Nanometer XDR DRAMs (Extreme Data Rate) mit 512 MBit produziert. Das Modell kann kann Daten mit bis zu 9,6 GByte/s übertragen und ist damit 12 Mal schneller als DDR400-Speicher sowie 6 Mal schneller als führende RDRAM (PC 800) Speicherbausteine.
Mit einer Strukturbreite von 90 Nanometern erreicht das neue XDR-DRAM eine maximale Geschwindigkeit von 4,8 GBit/s bei einer Versorgungsspannung von 1,8 Volt. Der neue Speicherbaustein soll vor allem in hochleistungsfähigen Breitband-Anwendungen zum Einsatz kommen. Dazu zählen die neuesten Spielekonsolen, digitale Fernsehgeräte sowie Server und Workstations. Verbaut werden soll er unter anderem in der Playstation3 von Sony.
Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM basiert auf der XDR-Speicher-Interface-Technologie von Rambus. Der neue Speicherbaustein wird in x2-, x4-, x8- und x16-Versionen angeboten.
OutSystems-Studie: 62 Prozent der Befragten haben Sicherheits- und Governance-Bedenken bei Softwareentwicklung mit KI-Unterstützung.
Der Cybersecurity Report von Hornetsecurity stuft 2,3 Prozent der Inhalte gar als bösartig ein. Die…
Die Hintermänner haben es auf Zugangsdaten zu Microsoft Azure abgesehen. Die Kampagne ist bis mindestens…
Cloud-Plattform für elektronische Beschaffungsprozesse mit automatisierter Abwicklung elektronischer Rechnungen.
Mindestens eine Schwachstelle erlaubt eine Remotecodeausführung. Dem Entdecker zahlt Google eine besonders hohe Belohnung von…
Nur rund die Hälfte schaltet während der Feiertage komplett vom Job ab. Die anderen sind…