Samsung hat die Entwicklung eines weiteren Flash-Speichers aus seiner Onenand-Familie bekannt gegeben, der schneller als die bisherigen Lösungen arbeitet und zugleich eine höhere Speicherkapazität aufweist. Das neue Flash-Memory wird laut Samsung in einem 60-nm-Prozess hergestellt, der gegenüber bisherigen Verfahren eine noch höhere Fertigungseffizienz ermöglichen soll.
Der neue Zwei-GBit Onenand-Flash-Speicher verdoppelt somit die Kapazität von heute verfügbaren Chips (ein GBit) und erhöht die Schreibgeschwindigkeit von 9,3 MByte/s auf 17 MByte/s. Gedacht ist der Chip für den Einsatz in Multimedia-Telefonen, Digitalkameras und PCs sowie Digital-Fernsehgeräten.
Darüber hinaus sollen sich mehrere Onenand-Chips zu einem System zusammenschalten lassen, um noch höhere Speicherkapazitäten zu erzielen. „Dabei kann jeder Chip unabhängig mit dem System interagieren“, so Samsung. Die Schreibgeschwindigkeit von Onenand-Chips soll sich auf bis auf 136 MByte/s steigern lassen, wenn acht Zwei-GBit-Memory-Chips zusammenarbeiten.
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