Samsung schrumpft ein Gigabit schnelle DDR2-Module

Der koreanische Elektronikhersteller Samsung hat bekannt gegeben, dass die Massenproduktion von ein Gigabit schnellen DDR2-Speichermodulen in 80-Nanometer-Technologie aufgenommen wurde. Bisher wurden diese Chips in 90-Nanometer-Fertigungstechnik produziert, die im Vergleich teurer und weniger effizient sei, so Samsung. Die Aufnahme des neuen Produktionsverfahrens versetze Samsung laut eigenen Angaben in die Lage, die weltweit kleinsten DRAM-Bausteine zu fertigen.

Mit 11,0 mal 11,5 Millimeter Größe sind die Elemente um 36 Prozent kleiner als deren Vorgängerprodukte. Somit wirft ein Silizium-Wafer auch mehr Ertrag ab als bisher. Üblicherweise werden Ein-Gigabit-Speicherelemente in kapazitiätsstarken DRAM-Modulen für Hochleistungsserver verbaut, beispielsweise FB-DIMM mit vier oder SO-DIMM mit zwei Gigabyte Kapazität. Um ein solches Vier-Gigabyte-Modul herstellen zu können, sind 36 Stück der Ein-Gigabit-Elemente notwendig.

Bislang mussten diese entweder übereinander auf der Leiterplatte platziert werden oder es wurden jeweils zwei Element zu einem Paket verbunden. Durch kleinere Bausteine kann dieses Stapeln vermieden werden, so Samsung. Resultat sei ein einfacherer und billigerer Produktionsmodus. Zudem würden die elektrischen Eigenschaften des Produktes verbessert.

Das Marktforschungsinstitut Gartner hat für den DRAM-Markt im laufenden Jahr einen globalen Wert von 28,7 Milliarden Dollar errechnet. Bis 2008 soll diese Zahl auf 37,8 Milliarden Dollar steigen. Während Ein-Gigabit-Module aktuell nur rund acht Prozent des Gesamtmarktes einnehmen, so soll sich dieser Anteil in den kommenden zwei Jahren vervierfachen.

Im Prozessorbereich ist es den Chip-Hersteller IBM, Chartered Semiconductor , Infineon und Samsung gelungen, die erste komplexe Schaltung mit einer Strukturbreite von 45 Nanometer zu realisieren und ein erstes Design-Kit für diese Technologie zu entwickeln. Basis sei dabei eine gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnologie. Die ersten funktionalen Schaltungen in 45-Nanometer-Technologie wurden in der 300-Millimeter-Fertigung von IBM in East Fishkill hergestellt, wo auch das gemeinsame Entwicklungsteam angesiedelt ist. Zu den ersten Schaltungsblöcken gehören Standardzellen und I/O-Elemente sowie Embedded-Speicher.

„Die ersten Hardware-Ergebnisse zeigen, dass der 45-Nanomter-Technologieknoten gegenüber der 65-Nanometer-Generation auf Transistorebene einen Geschwindigkeitsvorteil von mindestens 30 Prozent erreicht“, meint die Leiterin der Entwicklerallianz Lisa Su. Damit adressiere man die Anforderungen der nächsten Generation mobiler Applikationen, fügte Infineon-Vorstand Hermann Eul hinzu.