IBM ist es zusammen mit AMD, Freescale, ST Microelectronics, Toshiba und dem College of Nanoscale Sciences and Engineering (CNSE) gelungen, eine Static-Random-Access-Speicherzelle (SRAM) mit einer Strukturbreite von 22 Nanometern herzustellen. Die Größe einer Speicherzelle mit sechs Transistoren verringert sich dadurch von 0,143 auf 0,1 Quadratmikrometer. SRAM-Zellen gelten als Vorläufer komplexerer Halbleiter wie Prozessoren.
Die 22-Nanometer-Chips haben einen Vorsprung von zwei Generationen gegenüber aktuellen CPU-Fertigungstechniken. Derzeit werden Prozessoren im 45-Nanometer-Verfahren hergestellt, das im nächsten Schritt auf 32 Nanometer verkleinert werden soll.
„Wir arbeiten an der Grenze des Möglichen, um die Halbleitertechnologie der nächsten Generation zu entwickeln“, sagt TC Chen, Vizepräsident für Forschung und Technologien von IBM. „Unsere neue Entwicklung ist ein wichtiger Schritt auf dem Weg, die Miniaturisierung der Mikroelektronik voranzutreiben.“
Details zu den neuen SRAM-Chips will IBM im Dezember auf dem International Electron Devices Meeting in San Francisco bekannt geben. Wann die ersten Prozessoren mit einer Strukturbreite von 22 Nanometern Marktreife erlangen, ist allerdings noch unklar.
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