Samsung hat die weltweit ersten DDR3-Speicherchips mit einer Kapazität von 4 GBit vorgestellt. Unter Verwendung von Dual-Die-Gehäusen sind damit Module mit bis zu 32 GByte möglich.
Den maximalen Datendurchsatz der im 50-Nanometer-Verfahren gefertigten Bausteine gibt der Hersteller mit 1,6 GBit/s an, was einer Steigerung von 20 Prozent gegenüber herkömmlichen DDR3-Modulen entspricht. Die neuen Chips benötigen statt der üblichen 1,5 Volt lediglich 1,35 Volt. Laut Samsung verbraucht ein 16-GByte-Modul mit den neuen 4-GBit-Chips 40 Prozent weniger Strom als ein gleich großer Speicherriegel mit 2-GBit-Chips, weil bei gleicher Kapazität nur noch halb so viele Chips mit Strom versorgt werden muss.
„Durch die Entwicklung von 4-GBit-DDR3 mit einer Strukturbreite von 50 Nanometern bereiten wir den Weg für deutliche Kostensenkungen im Server- und gesamten Computer-Markt“, sagte Kevin Lee, Vizepräsident für technisches Marketing bei Samsung. Das Marktforschungsunternehmen IDC erwartet, dass sich DDR3-RAM im Laufe der nächsten drei Jahre weiter durchsetzen wird. Der Marktanteil soll 2009 auf 29 Prozent und bis 2011 auf 75 Prozent steigen.
| Die neuen 4-GBit-DDR3-Chips von Samsung ermöglichen Module mit bis zu 32 GByte Kapazität (Bild: Samsung). |
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