Intel-CEO Paul Otellini hat während seiner Eröffnungsrede auf dem Intel Developer Forum 2009 (IDF) in San Francisco den ersten 22-Nanometer-Wafer mit funktionierenden SRAM-Speicherzellen präsentiert. Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels finden 2,9 Milliarden Transistoren Platz.
Beim 22-Nanometer-Fertigungsprozess kommt die dritte Generation der High-K-Metal-Gate-Technik zum Einsatz, die für weitere Leistungssteigerungen und verringerte Leckströme sorgen soll. Darauf basierende Chips will Intel Ende 2011 auf den Markt bringen.
[legacyvideo id=0]
Der Cybersecurity Report von Hornetsecurity stuft 2,3 Prozent der Inhalte gar als bösartig ein. Die…
Die Hintermänner haben es auf Zugangsdaten zu Microsoft Azure abgesehen. Die Kampagne ist bis mindestens…
Cloud-Plattform für elektronische Beschaffungsprozesse mit automatisierter Abwicklung elektronischer Rechnungen.
Mindestens eine Schwachstelle erlaubt eine Remotecodeausführung. Dem Entdecker zahlt Google eine besonders hohe Belohnung von…
Nur rund die Hälfte schaltet während der Feiertage komplett vom Job ab. Die anderen sind…
Security-Experten von Check Point sind einer neuen Angriffsart auf die Spur gekommen, die E-Mail-Schutzmaßnahmen umgehen…