Nach Toshiba hat auch Samsung eine Enterprise-SSD-Reihe (Solid State Disk) mit bis zu 400 GByte Kapazität für Storage-Systeme angekündigt. Anders als die Toshiba-Modelle basieren die Samsung-Laufwerke nicht auf SLC-NAND-Flash mit 32 Nanometern Strukturbreite, sondern auf im 30-Nanometer-Verfahren gefertigten MLC-Chips.
In Verbindung mit einem 3-GBit/s-SATA-Interface und der Toggle-Mode-DDR-Struktur der NAND-Chips sollen die neuen SSDs bei geringerem Stromverbrauch die Leistung teurerer Konkurrenzprodukte mit SLC-Chips erreichen. Die Lese-Performance gibt Samsung mit 43.000 Eingabebefehlen pro Sekunde (IOPS) an, die Schreibleistung mit 11.000 IOPS. Zum Vergleich: Toshibas neue High-End-Laufwerke MKxx01GRZB mit 6-GBit/s-SAS-Schnittstelle schaffen 90.000 IOPS beim Lesen und 17.000 IOPS beim Schreiben, dürften aber auch deutlich teurer sein.
Im Vergleich zu einer Server-Festplatte, die mit 15.000 U./min rotiert, bieten Samsungs Enterprise-SSDs nach Herstellerangaben eine 120-mal höhere Leseleistung und eine 30-mal höhere Schreibperformance. Die IOPS-pro-Watt-Rate soll 150-mal besser sein.
Samsung plant 2,5-Zoll-Modelle mit 100, 200 und 400 GByte. Sie werden auch mit integrierter Datenverschlüsselung erhältlich sein. Die Massenproduktion soll kommenden Monat anlaufen. Preise hat das Unternehmen noch nicht genannt.
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