IM Flash Technologies (IMFT) hat den Prototyp eines NAND-Flash-Speicherchips mit 128 GBit (16 GByte) präsentiert. Gefertigt wurde er in dem schon im April vorgestellten Herstellungsprozess für NAND-Flash-Speicher mit 20-Nanometern Strukturbreite. In diesem werden inzwischen Multi-Level-Cell-Module mit 64 GBit (8 GByte) Kapazität in Serie produziert, wie das Joint Venture von Intel und Micron mitteilte.
Mithilfe des neuen 128-GBit-Chip sollen sich in einem briefmarkengroßen Gehäuse mit acht Dies 128 GByte unterbringen lassen. Eine ONFI-3.0-Schnittstelle ermöglicht nach Herstellerangaben Übertragungsraten von bis zu 333 Megatransfers pro Sekunde. Damit eignen sich die Bausteine vor allem für den Einsatz in Solid State Disks (SSDs) für Tablets, Smartphones oder Desktops.
Die Entwicklungspartner haben auch bekannt gegeben, dass sie in ihrer 20-Nanometer-Fertigung erstmals eine planare Zellstruktur einsetzen. Durch die gleichzeitige Verwendung von Hi-K/metal-Gate-Transistoren würden Skalierungsbeschränkungen umgangen, wie es sie bei herkömmlichen NAND-Floating-Gate-Zellen gebe.
Intel und Micron wollen im Januar erste Testmuster des 128-GBit-Chips ausliefern. Die Massenproduktion soll kurz darauf in der ersten Jahreshälfte 2012 anlaufen.
Bei NAND-Flash schreitet die Strukturverkleinerung sehr schnell voran. 2008 waren 34-Nanometer-Chips gängig, 2010 wurde die Produktion auf 25 Nanometer umgestellt. Nand-Flash-Module mit dieser Strukturbreite kommen heutzutage in nahezu allen SSDs zum Einsatz. Samsung fertigt schon seit Mitte Oktober 2010 NAND-Flash-Speicher mit 8 GByte Kapazität im 20-Nanometer-Verfahren. Seine Bausteine basieren jedoch auf der Triple-Level-Cell-Technik (TLC), speichern also drei Bit pro Zelle statt einem Bit wie bei SLC- respektive zwei Bit bei MLC-NAND-Flash.
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