Intel geht davon aus, dass Tablets mit der nächsten Atom-Generation „Cherry Trail“ zum Jahresende in den Handel kommen werden. Das hat Julie Coppernoll, Marketingdirektorin der Mobile and Communications Group, im Gespräch mit Computerworld angekündigt. Demnach wird das Unternehmen wahrscheinlich zur Computex, die Anfang Juni in Taiwan stattfindet, weitere Details zum Bay-Trail-Nachfolger veröffentlichen.
Cherry Trail wird dem Bericht zufolge im 14-Nanometer-Verfahren hergestellt und soll dadurch noch schneller und energieeffizienter als Bay Trail sein. Nutzer könnten mit mehr Rechenleistung und längeren Akkulaufzeiten rechnen. Intel fertige die aktuelle Atom-Generation für Tablets mit einer Strukturbreite von 22 Nanometern.
Nathan Brookwood, Principal Analyst von Insight 64, vermutet laut Computerworld, dass Cherry Trail nicht nur High-End-Tablets, sondern auch Low-End-PCs antreiben wird. Darüber hinaus habe Intel die Entwicklung der neuen Atom-Generation beschleunigt. „Im Mobilbereich haben sie mit einem Zweijahreszyklus gearbeitet. Jetzt sind sie bei einem Einjahreszyklus“, zitiert Computerworld den Analysten.
2014 will Intel seine Chipproduktion für Tablets von 10 Millionen auf 40 Millionen Stück steigern. Dem Bericht zufolge setzt das Unternehmen auf seine fortschrittlichen Fertigungstechnologien, um sich gegen die Hersteller von ARM-basierten Mobilprozessoren zu behaupten, die das Marktsegment dominieren.
Während Intel schon länger Chips mit 14 Nanometern Strukturbreite fertige, verwende beispielsweise Qualcomm für die meisten seiner Mobilprozessoren immer noch ein 28-Nanometer-Verfahren, so Computerworld weiter. Intel erhalte dadurch Vorteile bei der Rechenleistung und der Energieeffizienz. Es könne aber nur dann davon profitieren, wenn Gerätehersteller schnell reagierten und Intels neue Chips in ihre Tablets integrierten, sagte Brookwood.
Intel-Konkurrenten wie Globalfoundries und Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) arbeiten aber ebenfalls an neuen Produktionsverfahren. Laut Computerworld wollen sie noch in diesem Jahr die Massenfertigung von 3D-Transistoren mit einer Strukturbreite von 16 beziehungsweise 14 Nanometern aufnehmen. Die 3D-Transistor-Technologie – auch FinFET genannt – restrukturiert die Anordnung von Transistoren, um mehr Rechenleistung und Energieeffizienz zu ermöglichen.
Aber auch bei 3D-Chips habe Intel noch einen taktischen und technologischen Vorsprung, da es die Technik schon seit Jahren einsetze, ergänzte Brookwood. Es sei außerdem realistisch, dass Globalfoundries und TSMC erst ab 2015 3D-Chips herstellen könnten.
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