Samsung startet Massenproduktion von 8-GBit-Grafik-DRAM-Chips

Samsung hat die Fertigung von 8-GBit/s-DRAM nun auch auf Grafikspeicher ausgeweitet. Der GDDR5-Speicher wird im 20-Nanometer-Verfahren hergestellt. Es sind Samsung zufolge die ersten Grafik-DRAM-Bausteine mit diesem Durchsatz.

Mitte Dezember hatte Samsung schon als erster Hersteller die Serienfertigung von 8-GBit-LPDDR4-Mobile-DRAM begonnen, das sich für Mobilgeräte eignet. Das Grafik-DRAM hingegen ist für Spiele und ultrahochauflösende Inhalte aller Art (UHD) Voraussetzung.

Bisher konnte Samsung mit 4-GBit-GDDR5-DRAM Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7 GBit/s bieten. Die jetzigen 8 GBit/s vergleicht es auch mit heute in Notebooks üblichem DDR3-DRAM, dem gegenüber Zugriffe viermal schneller erfolgen können. Mit zwei dieser Chips wäre es beispielsweise möglich, 64 GByte Grafikdaten pro Sekunde zu verarbeiten, was den Daten von 12 DVDs zu 5 GByte gleichzeitig entsprechen würde, wie der Hersteller vorrechnet.

Mit dem GDDR5-DRAM erklärt Samsung seine Reihe an 8-GBit-Chips für abgeschlossen. Es stellt solche Bausteine nun in 20 Nanometer für Server, PC, Mobile und Grafiklösungen her. Allerdings wird es weitere 20-Nanometer-DRAM-Fließbänder einrichten und Module mit unterschiedlicher Dichte fertigen, um alle Marktsegmente abdecken zu können.

„Wir gehen davon aus, OEM-Herstellern mit unserem 8-GBit-GDDR5 die beste Grafikspeicherlösung am Markt für Spielkonsolen ebenso wie universell einsetzbare Notebook-Systeme anbieten zu können“, kommentierte Choi Joo-sun, der als Executive Vice President Vertrieb und Marketing von Speicherlösungen bei Samsung verantwortet. Mit der gesamten Palette an 20-Nanometer-Speicherprodukten habe Samsung im Premiumbereich eine Führungsrolle eingenommen, und dieser Bereich wachse besonders stark.

[mit Material von Jaehwan Cho, ZDNet.com]

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