Samsung hat einen Flashspeicher vorgestellt, der auch in Smartphones und Tablets der Mittelklasse eine Kapazität bis zu 128 GByte sowie eine höhere Geschwindigkeit ermöglicht. Die NAND-Flash-Bausteine basieren auf dem Standard eMMC 5.0 und speichern 3 Bit je Speicherzelle.
Der koreanische Hersteller stellt die branchenweit höchste Speicherdichte einer eMMC-5.0-Lösung heraus, wodurch sich künftig auch bei Geräten im mittleren Preisspektrum die Speicherkapazität auf 128 GByte anheben lässt. Sie sollen damit Anschluss finden an die Smartphone-Spitzenmodelle, bei denen sich bereits eine Entwicklung zu Speicherkapazitäten von 128 GByte auf der Basis von UFS 2.0 oder eMMC 5.1 abzeichnet.
128 GByte Flashspeicher eMMC 5.0 (Bild: Samsung)
Im Vergleich zu UFS 2.0 oder eMMC 5.1 ist der neue 128-GByte-Speicher eMMC 5.0 offenbar deutlich günstiger herzustellen. Beim sequenziellen Lesen von Daten kann er zudem mit 260 MByte/s gut mithalten, aber natürlich nicht in jeder Hinsicht die gleiche Performance bieten. Für wahlfreie Lese- und Schreibzugriffe sind bis zu 6000 IOPS (Ein-/Ausgabebefehle pro Sekunde) beziehungsweise 5000 IOPS spezifiziert. Das genügt laut Hersteller für die Verarbeitung von HD-Videos sowie Multitasking-Funktionen. Relativ zu einer typischen externen Speicherkarte seien diese IOPS-Geschwindigkeiten viermal beziehungsweise zehnmal schneller.
Samsung hat den neuen Speichertyp speziell für Smartphone- und Tablet-Massenmärkte entwickelt. In seinem Flaggschiff-Smartphone Galaxy S6 hingegen arbeitet er bereits mit Flashspeicher nach dem Standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0, der eine deutlich höhere Performance ermöglicht. Gegenüber dem bisherigen Standard eMMC 5.0 erzielt dieser einen fast dreimal höheren Durchsatz. Samsung erreicht das unter anderem mit der von SSDs bekannten Technik „Command Queuing“, wodurch Anfragen an den Controller parallel abgearbeitet werden können. Zudem kommt diese neue Flashtechnik mit einer etwa 50 Prozent geringeren Leistungsaufnahme als die Vorgängergeneration aus.
