Samsung hat mit der Massenfertigung von 4 GByte großen DRAM-Modulen für Server begonnen. Sie nutzen die zweite Generation der Schnittstelle High Bandwith Memory (HBM2), welche die Datenübertragungsrate des DRAMs um den Faktor sieben erhöhen soll. Damit eignen sich die neuen Chips für High-Performance Computing (HPC), Grafik-Rendering oder maschinelles Lernen.
Der neue DRAM-Speicher wird im 20-Nanometer-Prozess gefertigt. Ein 4-GByte-Modul stapelt vier 8-Gigabit Core Dies auf einem Buffer Die. Jeder der vier Core Dies enthält 5000 TSV-Löcher. TSV steht für Through Silicon Via und ist eine Fertigungstechnik, die DRAM-Chips mit der halben Dicke eines Blatt Papiers erlaubt. Zwei Chips werden dabei vertikal übereinander gestapelt und die Löcher der beiden so ausgerichtet, dass Elektrizität hindurchfließen kann. Laut Samsung sorgt diese Technik für einen höheren Leistungszuwachs, als er mit herkömmlichen, per Leiterbahnen verbundenen Paketen möglich wäre.
Die neuen DRAM-Chips erreichen dem Hersteller zufolge eine Bandbreite von 256 Gigabyte pro Sekunde. Das entspricht dem Doppelten der ersten Generation von HBM-DRAM. Zugleich bieten die HBM2-Module eine verbesserte Energieeffizienz und eine integrierte ECC-Fehlerkorrektur. Mit der Produktion von 8 GByte großem HBM2-DRAM will Samsung nach eigenen Angaben noch in der ersten Jahreshälfte beginnen.
„Durch die Massenproduktion der nächsten Generation von HBM2-DRAM können wir deutlich mehr zur schnellen Verbreitung der nächsten Generation HPC-Systemen in IT-Unternehmen weltweit beitragen“, sagte Sewon Chun, Senior Vice President für Memory Marketing bei Samsung. „Der Einsatz von 3D-Memory-Technik erlaubt uns zudem, die vielfältigen Anforderungen der weltweiten IT proaktiver zu erfüllen, während wir zugleich die Basis für künftiges Wachstum im DRAM-Markt stärken.“
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Das koreanische Unternehmen ist der weltweit größte Speicherchiphersteller. Die hohe Nachfrage nach Speicherchips für Mobilgeräte und Server hat ihm in den letzten Jahren einen großen Umsatzzuwachs beschert. Allerdings sinken die DRAM-Preise, weil der Mobilbereich mittlerweile weitestgehend gesättigt ist. Eine geringer als erwartete Nachfrage im Serversegment aufgrund der weltweiten Rezession wirkt sich ebenfalls negativ auf den Markt für DRAM-Chips aus.
„Fehlende Nachfrage macht es schwer, hohes Wachstum zu erwarten. Doch ein geringer Anstieg der Nachfrage wird die Profite sichern und Verluste vermeiden helfen“, kommentiert der Analyst Park Jun-ho von KDB Daewoo Securities. „Ab der zweiten Jahreshälfte werden Angebot und Nachfrage ausgeglichen sein.“
[mit Material von Cho Mu-hyun, ZDNet.com]
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