Samsung hat als erster Hersteller mit der Massenfertigung von 256 GByte großem Universal Flash Storage (UFS) für Mobilgeräte begonnen. Mit einer sequentiellen Leserate von bis zu 850 MByte/s erreichen die neuen Speicherchips ihm zufolge fast die doppelte Geschwindigkeit herkömmlicher SSDs und mit einer Schreibrate von maximal 260 MByte/s die dreifache externer MicroSD-Karten.
„Der Chip wird in der nächsten Generation von Premium-Smartphones zum Einsatz kommen“, sagte ein Samsung-Sprecher. Kunden oder konkrete Modelle nannte er allerdings nicht. Eventuell wird Samsung ihn in einer verbesserten Plus-Version seiner gerade erst auf dem Mobile World Congress (MWC) in Barcelona vorgestellten Flaggschiff-Smartphones Galaxy S7 und S7 Edge verbauen.
Die 256-GByte-Speichermodule basieren auf Samsungs proprietärer V-NAND-Flash-Technik samt sehr kleinem Controller. Die Performance beim zufälligen Lesen und Schreiben gibt der Hersteller mit bis zu 45.000 respektive 40.000 Ein-/Ausgabebefehlen pro Sekunde (IOPS) an. Bei der Vorgängergeneration lagen die Werte bei 19.000 beziehungsweise 14.000 IOPS.
Dank ihrer hohen Geschwindigkeit sollen die neuen Chips problemlos die ruckelfreie Wiedergabe von Ultra-HD-Videos und Multitasking-Funktionen auf großformatigen Mobilgeräten ermöglichen. Beispielsweise könne auf einem geteilten Bildschirm parallel ein 4K-Film angesehen und nach Dateien gesucht oder ein Videoclip heruntergeladen werden. Ein 256-GByte-Modul biete Platz für 47 Full-HD-Filme mit 90 Minuten Länge. Via USB 3.0 ließen sich solche rund 5 GByte großen Filme in 12 Sekunden übertragen.
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Zugleich sind die Speicherchips laut Samsung auch sehr kompakt und sogar kleiner als eine externe MicroSD-Karte. Das erlaube Geräteherstellern mehr Flexibilität bei der Entwicklung ihrer Smartphones. Generell kommen in Mobilgeräten zunehmend UFS-Module als interner Speicher zum Einsatz, die eingebettete Multimedia Cards (eMMC) ersetzen.
Erst im Februar 2015 hatte Samsung mit der Massenproduktion von UFS-Speicher mit 128 GByte begonnen. Es hat also nur ein Jahr benötigt, um die Kapazität und auch die Geschwindigkeit der NAND-Flash-Chips zu verdoppeln.
[mit Material von Cho Mu-hyun, ZDNet.de]