Durchgesickerte Präsentationsfolien verraten weitere technische Spezifikationen und Leistungsdaten von Qualcomms Snapdragon 835. Die offizielle Vorstellung des kommenden Premium-Smartphoneprozessors wird auf der Elektronikmesse CES 2017 erwartet, die vom 5. bis 8 Januar in Las Vegas stattfindet. Schon im November führte der Hersteller in einer Vorankündigung die grundlegenden Entwicklungsziele aus. Erste Geräte mit dem SoC sollen im ersten Halbjahr 2017 in den Handel kommen.
Snapdragon 835 wird acht CPU-Einheiten enthalten, die Qualcomm mit Kryo 280 bezeichnet. Im Vergleich zum Vierkerner Snapdragon 820 soll das für eine Leistungssteigerung um 20 Prozent bei Nutzungsszenarios wie Virtual Reality, App-Ladezeiten und Websurfen sorgen. Nicht allen Rechenkernen wird dabei aber ständig Leistung abgefordert.
Während nämlich ein Cluster von vier Kryo-Kernen mit einer Taktrate von 2,45 GHz laufen und damit bei Bedarf für hohe Leistung sorgen kann, bilden die weiteren vier Einheiten ein „Effizienz-Cluster“, das nur mit einer Taktrate bis zu 1,9 GHz ausgereizt wird. Für rundum mehr Effizienz will Qualcomm 80 Prozent der Rechenzeit diesen besonders stromsparenden Kernen zuteilen, die damit den größten Teil der Aufgaben erledigen könnten.
Schon in der Vorankündigung wies der Chiphersteller auf die Fertigung im 10-Nanometer-Verfahren hin. Gegenüber den im 14-Nanometer-Verfahren hergestellten Vorgängern Snapdragon 820 und Snapdragon 821 soll die Chipgröße um 30 Prozent sinken. Die geringere Größe erlaube die Entwicklung dünnerer Smartphones oder von Geräten mit größeren Akkus.
Kleinere Strukturen bedeuten in der Regel aber auch geringe Stromverluste und damit eine bessere Energieeffizienz. Qualcomm stellte daher 40 Prozent weniger Stromverbrauch und zugleich 27 Prozent mehr Performance in Aussicht, wozu auch ein neues Chip-Design beitragen sollte.
Wie aus den Präsentationsfolien jetzt weiter hervorgeht, unterstützt die integrierte GPU Adreno 540 eine 4K-Auflösung bei 60 fps. Sie soll außerdem im Vergleich zur Adreno 530 beim Rendering einen Leistungssprung um rund 25 Prozent bringen und 60 mal mehr Displayfarben darstellen. Qualcomm nennt außerdem einen insgesamt um 50 Prozent geringeren Energieverbrauch im Vergleich zum Snapdragon 801, der in vielen verbreiteten Smartphones verbaut wurde. Der Hersteller wählte hier allerdings einen Vergleich zu einem Prozessor von Anfang 2014. Unabhängige Tests bleiben abzuwarten, merkt 9to5Google an, um zu bestimmen, ob es wirklich eine spürbare Verbesserung gibt.
Die Fertigung des Snapdragon 835 hat bereits begonnen. Erste Geräte mit dem neuen Chip sollen im ersten Halbjahr 2017 in den Handel kommen. Mit ihrer Präsentation ist auf dem Ende Februar stattfindenden Mobile World Congress (MWC) in Barcelona zu rechnen. Als relativ wahrscheinlicher Kandidat gilt Samsungs kommendes Flaggschiff-Smartphone Galaxy S8. Es soll angeblich mit einer auf 4K gesteigerten Displayauflösung kommen, was mit entsprechenden Leistungsanforderungen verbunden ist. Auch die bisherige Zusammenarbeit von Qualcomm und Samsung spricht dafür. Das im vergangenen Jahr anlässlich des MWC präsentierte Galaxy S7 war eines der ersten Smartphones mit Qualcomms Snapdragon 820.
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