Samsung hat die Produktionskapazität für DRAM-Module für Server erhöht, die die zweite Generation der Schnittstelle High Bandwidth Memory (HBM2) nutzen. Das koreanische Unternehmen will so die zunehmende Nachfrage nach 8 GByte großen Modulen befriedigen, die unter anderem in den Bereichen High Performance Computing, Künstliche Intelligenz, Network Systems und Enterprise Server zum Einsatz kommen.
Mit der Massenfertigung von 4-GByte-Modulen hatte Samsung Anfang 2016 begonnen. Im Gegensatz zu diesen Modulen stapeln die Chips mit 8 GByte Kapazität acht 8-Gigabit-Core-Dies auf einem Buffer Die. Jeder Core Die enthält 5000 TSV-Löcher. Die Through Silicon Via (TSV) genannte Fertigungstechnik soll eine flexible Nutzung von Datenwegen ermöglichen und damit Verzögerungen bei der Datenübertragung reduzieren.
Generell ermöglicht HBM2 Datenübertragungen von bis zu 256 GByte pro Sekunde, was der achtfachen Bandbreite von GDDR-5-RAM entspricht. Die 8-GByte-Module sollen zudem energieeffizienter sein als Module mit nur 4 GByte.
„Durch die Erhöhung der Produktion der derzeit branchenweit einzigen 8-GByte-HBM2-Lösung wollen wir sicherstellen, dass Herstellern von IT-Systemen weltweit ausreichende Mengen für die Entwicklung neuer und aktualisierter Systeme zur Verfügung stehen“, wird Jaesoo Han, Executive Vice President des Memory Sales & Marketing Team bei Samsung, in einer Pressemitteilung zitiert. „Wir werden auch künftig fortschrittlichere HBM2-Produkte anbieten, während wir eng mit unseren IT-Kunden weltweit zusammenarbeiten.“
Samsung ist der weltweit größte Hersteller von Speicherchips. Gemessen am Umsatz soll das Unternehmen im zweiten Quartal sogar Intel als größten Chiphersteller der Welt ablösen. Samsung selbst rechnet – auch aufgrund eines starken Wachstums der Chipsparte – mit einem operativen Gewinn von umgerechnet mehr als 10,5 Milliarden Euro im zweiten Quartal. Es wäre der höchste operative Quartalsprofit in der Geschichte des Elektronikkonzerns.
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