Samsung enthüllt 1-Terabit-V-NAND-Chip für SSDs

Samsung hat einen V-NAND-Flash-Chip mit einer Speicherkapazität von einem Terabit entwickelt. Er soll künftig in Produkten für Business-Kunden zum Einsatz kommen, die Samsung ab 2018 in den Handel bringen will.

Ziel sei, die Speicherkapazität von Solid State Drives deutlich zu steigern, teilte Samsung auf dem Flash Memory Summit in San Francisco mit. Dafür sollen jeweils 16 1-Terabit-Dies zu einem V-NAND-Paket gestapelt werden, das Platz für 2 Terabyte Daten bietet.

Samsung nutzt für seine Enterprise-SSDs künftig 1-Terabit-V-NAND-Chips (Bild: Samsung)

Darüber hinaus kündigte Samsung einen neuen Formfaktor an, der den M.2-Standard ersetzen soll. Der Next Generation Small Form Faktor (NGSFF) ist 30,5 mal 110 mal 4,38 Millimeter groß. Erste Muster der NGSFF-SSDs, die Samsung bereits an Kunden verteilt, haben eine Speicherkapazität von 16 TByte.

Samsung zeigte zudem ein Referenz-Server-System, in das 36 der 16 TByte großen NGSFF-SSDs verbaut sind. Der 1HE-Server brachte es damit auf 576 TByte Massenspeicher.

Die Produktion der NGSFF-SSDs soll im vierten Quartal beginnen. Mit einer Standardisierung des neuen Formfaktors durch die JEDEC Solid State Technology Association sei allerdings erst im ersten Quartal 2018 zu rechnen, so Samsung weiter.

Z-SSD-Technologie für datenintensive Aufgaben gedacht

Eine weitere Neuheit ist die Z-SSD-Technologie, die Samsung auf Rechenzentren- und Enterprise-Systeme für datenintensive Aufgaben wie High-Performance-Server Caching und Big Data Analytics in Echtzeit ausrichtet. Sie haben eine Latenzzeit bei Lesezugriffen von 15 Mikrosekunden. Das entspreche etwa einem Siebtel der Latenzzeit einer NVMe-SSD. Auf Anwendungsebene soll die SSD SZ985 die „System-Antwortzeiten bis um den Faktor zwölf beschleunigen, im Vergleich zu NVMe-SSDs“, ergänzt Samsung.

Mit der Technik „Key Value SSD“ will Samsung darüber hinaus Eingaben und Ausgaben beschleunigen und auch Kosten reduzieren. Statt Daten in Blocks aufzuteilen, bevor sie gespeichert werden, sollen sie einem bestimmten Speicherbereich zugeordnet werden. Dadurch sei es möglich, den Speicherort direkt anzusprechen, was redundante Schritte reduziere.

DRAM- und NAND-Produkte haben sich in den vergangenen Quartalen zu einem wichtigen Standbein des Elektronikkonzerns entwickelt. Zwischen April und Juni verhalf die Halbleitersparte Samsung zu einem operativen Gewinn von rund 14,07 Milliarden Won. 9,69 Milliarden Won steuerte der Verkauf von Halbleitern zu dem Rekordergebnis bei.

[mit Material von Cho Mu-Hyun, ZDNet.com]