Samsungs startet den Bau der neuen EUV-Halbleiterproduktion am Standort Hwaseong (Bild: Samsung).
Samsung startet den Bau einer neuen Halbleiter-Produktionsstraße in Hwaseong. Ab dem Jahr 2020 sollen hier die ersten Halbleiter mit einer Strukturbreite von unter 7 Nanometern an den Start gehen. Diese Strukturbreite der Halbleiter will Samsung mit der Extreme Ultra Violet (EUV) Lithographie erreichen, wie das Unternehmen mitteilt.
Die neue Fabrik soll am Standort Hwaseong entstehen. Samsung Electronics wird laut eigenen Angaben rund 6 Milliarden Dollar in die neue Fabrik investieren. Der Bau soll 2019 abgeschlossen werden und 2020 sollen dann die ersten Bauteile produziert werden. Abhängig von der Marktsituation werde Samsung die Investitionssumme auch noch weiter erhöhen.
Derzeit operieren Chip-Hersteller mit ArF-Licht, um die Halbleiter herzustellen. In Herstellungsverfahren von 10 Nanometern und kleiner aber bietet EUV-lithographie Vorteile, weil hier kürzere Wellenlängen möglich sind. Damit können die Schaltkreise präziser und detaillierte als bisher umgesetzt werden. Laut Samsung werden künftige EUV-Scanner die EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometer verwenden, das entspreche etwa einem Zehntel der Wellenlänge, die ArF-Eximeter-Laser-Scanner derzeit bieten können.
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Mit den Kapazitäten dieser Produktionsstätte will Samsung unter anderem Halbleiter für Mobiltelefone, Server, Netzwerke und High-Performance Computing herstellen. In dieser Fabrik sollen jedoch auch Bauteile von Drittherstellern gefertigt werden, teilt das Unternehmen mit.
So hatte Samsung bereits eine Kooperation mit den Konkurrenten Qualcomm bekannt gegeben, dass Samsung für Qualcomm ein 5G-Mobilfunk-Chipset im 7-Nanometer-Prozess fertigen wird.
Seit vergangenen Oktober kann Samsung Halbleiter mit einer Strukturbreite von 8 Nanometer herstellen. Aufgrund einer Rekordnachfrage nach Mobilfunkbauteilen und einer hohen Nachfrage nach Speicherchips investierte Samsung 2017 insgesamt rund 26 Milliarden Dollar in die Halbleiterfertigung.
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