Samsung startet Massenfertigung von 28-Nanometer-eMRAM

Samsung hat die Massenfertigung seines ersten kommerziellen Produkts mit Embedded Magnetic Random Access Memory (eMRAM) auf Basis eines 28-Nanometer-Verfahrens angekündigt. MRAM ist ähnlich wie NAND-Flash ein nicht flüchtiger Speicher, der seinen Inhalt auch ohne Strom behält. Trotzdem kann er Daten genauso schnell verarbeiten wie flüchtiger DRAM-Speicher, weswegen er als die kommende Speichertechnologie angesehen wird.

Das koreanische Unternehmen stellt den eMRAM-Speicher in einem Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) genannten Verfahren her. Es erlaubt eine bessere Kontrolle der Transistoren und minimiert die Spannungsverluste.

Die Lösung soll außerdem „nie dagewesene Leistungs- und Geschwindigkeitsvorteile bei geringeren Kosten“ bieten. Da eMRAM laut Samsung vor dem Schreiben von Daten keinen Löschzyklus durchlaufen muss, soll die Schreibgeschwindigkeit gegenüber eFlash um Faktor Tausend ansteigen. Da im ausgeschalteten Zustand kein Strom benötigt wird und auch die Betriebsspannung niedriger ist, verspricht das Unternehmen außerdem eine höhere Energieeffizienz.

Als mögliche Einsatzgebiete nennt Samsung Micro-Controller, das Internet der Dinge und künstliche Intelligenz. „Wir sind sehr stolz auf diese Leistung bei der Bereitstellung der Embedded-Non-Volatile-Memory-Technologie, nachdem wir die komplizierten Herausforderungen neuer Materialien gemeistert haben“, sagte Ryan Lee, Vice President of Foundry Marketing bei Samsung. „Durch die Integration von eMRAM in bestehende bewährte Logik-Technologien erweitert Samsung Foundry sein eNVM-Prozessportfolio weiter, um deutliche Wettbewerbsvorteile und hervorragende Herstellbarkeit zu bieten und um Kunden- und Marktanforderungen zu erfüllen.“

Das erste eMRAM-Produkt will Samsung im Lauf des heutigen Tags ausliefern. Zudem kündigte das Unternehmen sein, sein Portfolio im Bereich eNVM-Lösungen auszubauen. Dazu gehört ein 1-Gbit-eMRAM-Chip, der als Testversion noch in diesem Jahr erhältlich sein soll.