Samsung hat die Massenfertigung der nach eigenen Angaben branchenweit ersten LPDDR5-DRAM-Spreichermodule mit einer Kapazität von 12 Gbit für mobile Geräte aufgenommen. Acht dieser Module sollen noch im Lauf des Monats als 12 GByte große LPDDR5-Speicherchips für Premium-Smartphones zur Verfügung stehen.
Gefertigt werden die 12-Gbit-Speicherchips in Samsungs 10-Nanometer-Verfahren der zweiten Generation. Es soll unter anderem dazu beitragen, dass auch der Energiebedarf der Speicherchips um bis zu 30 Prozent sinkt und somit die Akkulaufzeit zunimmt.
Die Übertragungsrate der neuen Chips spezifiziert Samsung mit 5500 Mbit/s, was einem Zuwachs von 30 Prozent gegenüber den 4266 Mbit/s von LPDDR4X-Speicher entspricht. In der Praxis sollen 12 GByte LPDDR5-RAM in der Lagen sein, 44 GByte Daten innerhalb einer Sekunde zu übertragen. Das würde zwölf Full-HD-Videos mit einer Größe von jeweils 3,7 GByte entsprechen.
Schon im März hatte Samsung die Fertigung von 12 GByte großen Speichermodulen angekündigt, die auf dem Standard LPDDR4X basieren. Je nach Bedarf will das koreanische Unternehmen die Fertigung der LPDDR5-Module ab kommendem Jahr auf den Standort in Pyeongtaek ausweiten. LPDDR5-Chips mit einer Kapazität von 16 Gbit sollen zudem im kommenden Jahr folgen.
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