Samsung hat mit der Fertigung seiner sechsten Generation von V-NAND Speicherzellen mit über 100 Lagen begonnen: konkret sind es 136 Schichten. Als erstes Produkt vertreibt der Hersteller eine Sata-SSD mit 250 GByte Kapazität in Form von TLC-Speicher.
Das Modell soll in Unternehmens-PCs eingesetzt werden. Eigenen Angaben zufolge hat Samsung bereits einen globalen PC-Hersteller damit beliefert.
Unter Verwendung der „Channel Hole Etching“-Technologie von Samsung fügt der neue V-NAND der bisherigen 9-lagigen Single-Stack-Struktur rund 40 Prozent mehr Zellen hinzu. Verglichen mit der Vorgängergeneration bietet die neue Technik 10 Prozent mehr Performance bei 15 Prozent geringerer Leistungsaufnahme.
Im Verlauf des Jahres will das Unternehmen die Produktion der neuen Flashzellen erhöhen und auch SSDs und eUFSs mit 512 GB 3-Bit-V-NAND in einer Vielzahl von Spezifikationen herstellen. Auch im mobilen und automobilen Bereich plant der Konzern entsprechende Produkte anzubieten.
Die neue Bauart basiert wie bisher bei Samsung auf dem monolithisches Charge-Trap-Flash-Design mit einem Layer-Stapel. Daher spricht das Unternehmen in diesem Zusammenhang auch von dem ersten „100+-Layer Single-Tier Design“. Andere Hersteller wie Toshiba nutzen hingegen das sogenannte Array-Stacking-Verfahren, die aus zwei oder drei Layer-Stapel bestehen. Damit erreicht Toshiba eine deutlich höhere Speicherdichte, während Samsung eine bessere Performance erzielt.
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