Flashbolt: Samsung kündigt dritte Generation seiner High-Bandwidth-Speicherchips an

Samsung hat die Verfügbarkeit der dritten Generation seiner High-Bandwidth-Memory-Chips (HBM2E) angekündigt. Die als Flashbolt bezeichneten Speicherprodukte sind auf High Performance Computing ausgerichtet und sollen Herstellern helfen, ihre Supercomputer zu verbessern. Weitere Anwendungsgebiete sich AI-unterstützte Datenanalysen und leistungsfähige Grafiksysteme.

Die Flashbolt-Speicherchips verfügen über eine Kapazität von 16 GByte, was die doppelte Kapazität der Vorgängergeneration HBM2 „Aquabolt“ ist. Die Kapazität erreicht Samsung durch die Stapelung von acht Lagen 16-Gigabit-DRAM-Dies über einem Puffer-Chip. Verbunden werden die Chips mit mehr als 40.000 Through-Silicon-Via-Kontakten (TSV). Somit verfügt laut Samsung jeder 16-Gbit-Chip über mehr als 5600 Bohrungen für die TSV-Kontakte.

Die Datenrate spezifiziert Samsung mit 3,2 Gbit pro Sekunde. Dies soll ein optimiertes Schaltkreisdesign für die Signalübertragung ermöglichen. Die getestete maximale Geschwindigkeit gibt Samsung mit 4,2 Gbit/s an, was einer Bandbreite von 538 GByte/s und Stack entsprechen soll, 75 Prozent mehr als bei Aquabolt-Chips.

Hergestellt werden die Chips mit Strukturbreiten von 10 Nanometern. Die Massenfertigung soll im ersten Halbjahr beginnen. Parallel zu Flashbolt soll weiterhin die Vorgängergeneration Aquabolt erhältlich sein.

„Mit der Einführung des leistungsfähigsten heute verfügbaren DRAMs unternehmen wir einen entscheidenden Schritt, um unsere Rolle als führender Innovator auf dem schnell wachsenden Markt für Premium-Speicher auszubauen“, sagte Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales and Marketing bei Samsung. „Samsung wird auch weiterhin sein Engagement für wirklich differenzierte Lösungen erfüllen, während wir unseren Vorsprung auf dem globalen Speichermarkt ausbauen.“