Samsung fertigt DDR5-DRAM in einem 12-Nanometer-Verfahren

Samsung fertigt DDR5-DRAM-Bausteine mit einer Kapazität von 16 Gigabit ab sofort in einem neuen Verfahren mit Strukturbreiten von 12 Nanometern. Der neue Produktionsprozess soll die Energieeffizienz von Speicherbausteinen verbessern und auch zu einer höheren Produktionsausbeute führen.

Im Vergleich zur vorherigen Generation verspricht Samsung, den Energieverbrauch von DDR5-DRAM-Chips um bis zu 23 Prozent zu senken. Die kleineren Strukturen, die kleinere Chips ermöglichen, steigern aber auch die Ausbeute pro Wafer – laut Samsung um bis zu 20 Prozent.

Die neuen Speicherbausteine erreichen zudem eine Datenübertragungsrate von 7,2 GBit/s. Zwei Filme in UHD-Auflösung mit einer Größe von jeweils 30 GByte können so innerhalb von rund einer Sekunden übertragen werden. Samsung empfiehlt die 12-Nanometer-Chips für Rechenzenten, Server, künstliche Intelligenz und Next-Generation-Computing – sowie für alle Unternehmen, die Energieverbrauch und CO2-Ausstoß reduzieren wollen.

„Samsungs branchenführender DDR5-DRAM der 12-nm-Klasse liefert dank seiner differenzierten Prozesstechnologie eine herausragende Leistung und Energieeffizienz“, sagte Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product and Technology bei Samsung. „Unser neuester DRAM spiegelt unser kontinuierliches Engagement wider, den DRAM-Markt anzuführen, nicht nur mit Hochleistungs- und Hochkapazitätsprodukten, die die Nachfrage des Computermarktes nach groß angelegter Datenverarbeitung erfüllen, sondern auch durch die Vermarktung von Lösungen der nächsten Generation, die eine höhere Produktivität unterstützen.“