Sinkende Preise für Speicherchips belasten auch den Chip-Umsatz. Die Mobilsparte meldet indes Zuwächse bei Einnahmen und Profit. Samsung lobt vor allem die Verkäufe des Galaxy Note 10 und der A-Serie. weiter

Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete sind Micro-Controller, das Internet der Dinge und künstliche Intelligenz. weiter

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den SD-Express-Standard auf microSD-Karten. weiter

Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro Sekunde. Der Chip erlaubt zudem kontinuierliche Super-Zeitlupenaufnahmen mit 960 Bildern pro Sekunde. weiter

Crucial bietet mit der BX500 eine SSD mit 480 Kapazität für knapp 70 Euro Euro an. Und eine 400 GByte große microSD-Card wechselt für 88 Euro den Besitzer. weiter

Ihr Preis pro GByte nähert sich dem von Enterprise-HDDs an. Bei einem um 10 Prozent höheren Preis bieten SSDs 12-mal mehr Leistung. Micron bietet die neue SSD 5120 ION mit Kapazitäten von 1,92, 3,84 und 7,68 TByte an. weiter

Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive mobile High-End-Geräte". Erste Muster gehen an OEM-Hersteller. weiter

Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von einem Terabit. Samsung will diese Chips auch für Speicherkarten und Enterprise-SSDs verwenden. weiter

Gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger erhöht sich die Performance um 40 Prozent auf 1,4 GBit/s. Gleichzeitig bleibt die Energieeffizienz durch Reduktion der Versorgungsspannung konstant. weiter

Zudem erhöht die SD Association mit SD Ultra Capacity (SDUC) die maximal mögliche Speicherkapazität von derzeit 2 Terabyte (SDXC) auf 128 Terabyte. weiter

Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit dem Veeam Explorer für Storage Snapshots können auch einzelne Objekte oder komplette VMs aus den Pure Storage Snapshots hergestellt werden. weiter

Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch im Dezemberquartal die Halbleitersparte mit einem Umsatzplus von 42 Prozent. weiter

Somit ist ein Marktstart im März denkbar. Das neue Flaggschiff könnte als erstes Samsung-Smartphone mit 512 GByte eUFS-Speicher kommen. Im Laufe des Jahres will Samsung seinen digitalen Assistenten auf Bixby 2.0 aktualisieren. weiter

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 860 MByte pro Sekunde. Mit bis zu 42.000 IOPS sind die Chips zudem 400-mal leistungsfähiger als eine SD-Speicherkarte. weiter

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle Unterstützer sind Dell, Seagate und SK Hynix. Apple will für sich die fortlaufende Belieferung mit Flash-Speicher sichern, um nicht vom Rivalen Samsung abhängig zu werden. weiter

Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und 512 GByte an. Die SSD ist als BGA-Modul oder austauschbar als M.2-2230-Modul erhältlich. weiter

Im neuen Werk soll vor allem V-NAND-Flash-Speicher mit 64 Schichten vom Band laufen. Samsung Electronics reagiert auf die steigende weltweite Nachfrage nach Halbleiterchips und kündigt weitere Milliardeninvestitionen in Südkorea und China an. weiter

Der Festplattenhersteller soll den Verkauf von Toshibas Chipsparte behindern. Dazu gehören drei Joint Ventures mit der Western-Digital-Tochter SanDisk. Western Digital versucht indes, vor US-Gerichten ein Vetorecht durchzusetzen, um die Chipsparte selbst zu kaufen. weiter

Schon zum Jahresende will der koreanische Hersteller mehr als die Hälfte von NAND-Flash als neue V4-Generation produzieren. Der neue Speicher ist für Server, PC und Mobilgeräte vorgesehen. Samsung verspricht 30 Prozent mehr Energieeffizienz und um 20 Prozent zuverlässigere Zellen. weiter

IBM verspricht mit dem Support des noch vergleichsweise neuen Protokolls NVMe deutlich niedrigere Latenzzeiten bei Flash-Storage. Erste Produkte soll es 2018 geben. weiter

Die SATA-SSD-Serie HK4 von Toshiba, die für Rechenzentrumsanwendungen optimiert ist, soll bei NetApp künftig in einer unverschlüsselten Version zum Einsatz kommen und das SolidFire All-Flash-Array-Portfolio erweitern. Der Einsatz soll dem Unternehmen den Zugang zu neuen Märkten und Anwendungen öffnen. weiter

Pure Storage liefert für datenhungrige Anwendungen mit dem FlashArray//X ein neues Hochleistungsmodell, das auch Anforderungen großer Unternehmen erfüllen kann. weiter

Der Apple-Zulieferer bietet wesentlich mehr als andere Interessenten. Er will damit wohl politische Hürden überwinden, da die japanische Regierung inländische Investoren vorzieht. Mit im Rennen sind außerdem Qualcomm und der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix. weiter

Die Kapazität pro Chip steigt damit auf 32 GByte. Samsung und Toshiba fertigen 3D NAND Flash derzeit mit 64 Lagen. SK Hynix verbessert zudem die Schreib- und Lesegeschwindigkeit seiner Chips um 20 Prozent. weiter

Die neue OS-Version 3.3.1 ist ab dem ersten Quartal erhältlich. HPE verspricht Verbesserungen in den Bereichen Deduplizierung, Migration von Workloads und Datensicherung. Kunden mit bestehenden Supportverträgen erhalten das Update kostenlos. weiter

Sie soll zuerst in ein eigenständiges Unternehmen ausgelagert werden. Für bis zu 20 Prozent des neuen Unternehmens sucht Toshiba einen Käufer. Der Erlös soll Verluste der Kernenergie-Sparte Westinghouse ausgleichen. weiter