IBM erzielt Durchbruch bei Entwicklung von Phasenwechselspeicher
Forschern des Unternehmens gelang es erstmals, drei Datenbits pro Zelle über längere Zeit zuverlässig zu speichern. Damit vereint PCM die Geschwindigkeit und Haltbarkeit von DRAM mit der kostengünstigen Speicherdichte von Flash. Künftig könnte er als Alternative zu diesen Technologien dienen. weiter