Die neue V-NAND-Generation bietet die derzeit höchste verfügbare Bit-Dichte. Samsung steigert auch die Geschwindigkeit und senkt den Energieverbrauch gegenüber der…
Käufer ist der südkoreanische Anbieter SK Hynix. Das Unternehmen steigt so zur Nummer zwei im Markt hinter Samsung auf. SK…
Mit der dreifachen Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zum bisherigen 512 GB eUFS 3.0-Mobilspeicher durchbricht der neue eUFS 3.1-Speicher von Samsung die…
Die Bilanz bestätigt die Prognose von Anfang Januar. Auch das Geschäftsjahr schließt Samsung mit einem Gewinnrückgang von 31 Prozent ab.…
Sinkende Preise für Speicherchips belasten auch den Chip-Umsatz. Die Mobilsparte meldet indes Zuwächse bei Einnahmen und Profit. Samsung lobt vor…
Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete…
Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den…
Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro…
Ihr Preis pro GByte nähert sich dem von Enterprise-HDDs an. Bei einem um 10 Prozent höheren Preis bieten SSDs 12-mal…
Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive…
Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit…
Gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger erhöht sich die Performance um 40 Prozent auf 1,4 GBit/s. Gleichzeitig bleibt die Energieeffizienz durch Reduktion…
Zudem erhöht die SD Association mit SD Ultra Capacity (SDUC) die maximal mögliche Speicherkapazität von derzeit 2 Terabyte (SDXC) auf…
Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit…
Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch…
Somit ist ein Marktstart im März denkbar. Das neue Flaggschiff könnte als erstes Samsung-Smartphone mit 512 GByte eUFS-Speicher kommen. Im…
Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu…
Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle…
Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und…
Im neuen Werk soll vor allem V-NAND-Flash-Speicher mit 64 Schichten vom Band laufen. Samsung Electronics reagiert auf die steigende weltweite…