Sie wehrt vorhandene und auch künftige Angriffe auf die spekulative Ausführung ab. Allerdings wirkt sich auch die SAPM genannte Technik negativ auf die CPU-Leistung aus. Bisher liegt sie zudem nur als Konzept vor. weiter

Die branchenweit bislang höchste Kapazität soll zum Standard bei High-End-Smartphones werden. Der Hersteller verspricht mit LPDDR4X niedrigen Strombedarf und doppelte Datenrate. Samsung verbaut die 12-GByte-Chips bereits im Topmodell von Galaxy S10+. weiter

Das entspricht rund 40 Prozent des erwarteten Straßenpreises. Die Kosten für Forschung und Entwicklung sind darin nicht enthalten. Im kommenden Galaxy Fold wird erstmals der doppelt so schnelle UFS-3.0-Speicher verbaut. weiter

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den SD-Express-Standard auf microSD-Karten. weiter

Der Hersteller verspricht eine kostengünstige Lösung, die fast DRAM-Performance erreicht. Er sieht die Speichererweiterung als ideal geeignet für In-Memory-Anwendungen wie Redis, Memcached, Apache Spark und große Datenbanken. weiter

Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive mobile High-End-Geräte". Erste Muster gehen an OEM-Hersteller. weiter

Damit verdoppelt Samsung die Speicherkapazität bisheriger DDR4-SO-DIMMs. Die Performance steigt auf 2666 Mbps und der Stromverbrauch reduziert sich um 39 Prozent. weiter

Intel gibt die führende Position erstmals nach 25 Jahren ab. Der Umsatz der Branche übertraf 2017 400 Milliarden Dollar. weiter

Muster sind bereits auf dem Weg zu den Herstellern von High-End-Grafikkarten. Die Serienproduktion soll noch im ersten Halbjahr 2018 beginnen. Der Hersteller will mit Geschwindigkeiten von 12 GBit/s und 14 GBit/s starten und später auf 16 GBit/s steigern. weiter

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle Unterstützer sind Dell, Seagate und SK Hynix. Apple will für sich die fortlaufende Belieferung mit Flash-Speicher sichern, um nicht vom Rivalen Samsung abhängig zu werden. weiter

Die winzige Speicherkarte kann 400 GByte Daten aufnehmen und ist vornehmlich für Smartphones und einige Kameras geeignet, die über einen entsprechend kleinen Slot verfügen. Vor zwei Jahren wurde von SanDisk die Ultra-microSDXC-Karte mit 200 GByte eingeführt. weiter

Samsung hat seine microSD-Modelle aktualisiert und gleichzeitig das Portfolio verkleinert. Die EVO-Plus-Serie umfasst vier Modelle mit bis zu 256 GByte Speicherplatz, während die PRO-Reihe nur noch zwei Modelle mit bis zu 64 GByte bietet. weiter

Auf dem Foundry Forum am 24. Mai steht die Präsentation eines Prototyps mit integriertem MRAM an. Der Hersteller will dort seine neue Fertigungstechnik für den schnellen und energieeffizienten Speicher erläutern. NXP gibt die Serienproduktion von Embedded-MRAM in Auftrag. weiter

GDDR6-RAM verdoppelt die I/O-Datenrate pro Pin auf 16 Gbit/s. High-End-Grafikarten sollen sogar eine Bandbreite von bis zu 768 GByte pro Sekunde erreichen. Trotzdem soll die Betriebsspannung um 10 Prozent sinken. weiter

Die Kapazität pro Chip steigt damit auf 32 GByte. Samsung und Toshiba fertigen 3D NAND Flash derzeit mit 64 Lagen. SK Hynix verbessert zudem die Schreib- und Lesegeschwindigkeit seiner Chips um 20 Prozent. weiter

Wie Dropbox jetzt bestätigt hat, konnten Hacker offenbar tatsächlich 68 Millionen Passwörter von Kunden des Online-Speicherdienstes erbeuten. Von dem Diebstahl sind Dropbox-Nutzer, die ihr Passwort vor Mitte 2012 das letzte Mal geändert haben, betroffen. weiter

Samsung hat neben seiner vierten V-NAND-Generation, die 30 Prozent mehr Layer mit Cell Arrays als ihr Vorgänger stapelt, eine SAS SSD mit 32 Terabyte, ein 1TB BGA SSD und die Z-SSD vorgestellt, die sich durch eine extrem niedrige Latenz auszeichnen soll. weiter

Der neue 8-GBit-DDR4-Speicher erreicht Datenraten von bis zu 3200 MBit/s. Damit arbeitet er laut Hersteller 30 Prozent schneller als die im 20-Nanometer-Verfahren gefertigte Vorgängergeneration. Zugleich soll der Stromverbrauch 10 bis 20 Prozent geringer ausfallen. weiter

Es produziert 20-Nanometer-Module mit 3 und 6 GByte Kapazität. Diese sollen gut 30 Prozent schneller sein als ihre 8-GBit-Vorgänger und dabei 20 Prozent weniger Energie verbrauchen. Zugleich benötigen sie weniger Platz, was noch schlankere Geräte ermöglicht. weiter

Damit soll das kontinuierliche Wachstum seiner aktuell profitabelsten Sparte gesichert werden. Geplant sind eine zusätzliche Fertigungsstraße für DRAM-Module in Hwaseong sowie ein neues Werk in Pyeongteak. Vor allem sein Angebot an 3D-Vertical-NAND-Produkten will Samsung ausbauen. weiter

Die PSZ-HB2T liest und schreibt mit bis zu 122 MByte/s, die PSZ-HB1T bietet laut Hersteller Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 120 MByte/s. Eine stoßfeste Silkonschicht und eine entsprechend ausgelegte innere Architektur sollen dafür sorgen, dass den 2,5-Zoll-Festplatten auch Stürze aus bis zu zwei Metern Höhe nichts anhaben können. weiter