Motorola hat ein Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Prozessmodul in 0,35-Micron-Technologie in seine Bicmos-Prozesstechnologie-Plattform integriert. Das Unternehmen will damit eine kostengünstige Technologie für drahtlose Kommunikationsprodukte realisieren. Dies ist das erste Ergebnis der seit neun Monaten bestehenden Zusammenarbeit zwischen dem Technologie-Team von Motorolas Digitaldna Laboratories und dem Institut für Halbleiterphysik (IHP), Frankfurt an der Oder.
Ab August 2000 werden die Prozessoren in Musterstückzahlen an Entwickler geliefert. Zum ersten Mal sollen die neuen Module bei einem rauscharmen Dual-Band-Mobilfunkverstärker zum Einsatz kommen. Die Massenproduktion soll Anfang 2001 anlaufen.
Motorola hat integrierte HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) in seinen HF-Schaltungen in Bicmos-Technologie mit einer Schaltleistung von 50 GHz beziehungsweise 90 GHz für ft (Transistorfrequenz) und fmax (maximale Oszillatorfrequenz) realisiert. Dabei wurde angeblich nur halb soviel Strom wie für herkömmliche SiGe-Transistoren benötigt. Die zusätzliche Verwendung von Kohlenstoff soll die Herstellung optimieren und die Verbesserung der Rauschzahl bewirken.
Am Montag hat Motorola am Firmensitz in Illinois zudem die neuesten Zahlen für das erste Quartal 2000 bekannt gegeben. Demnach hat der Konzern 8,8 Milliarden Dollar umgesetzt, das sind 19 Prozent mehr als im Vorjahresquartal. Der Gewinn habe sich laut Motorola auf 449 Millionen Dollar oder 59 Cent pro Aktie belaufen. Im Vorjahreszeitraum waren es noch 184 Millionen Dollar Gewinn und 26 Cent pro Aktie gewesen. Das entspricht einer Steigerung von 144 Prozent.
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Motorola Deutschland, Tel.: 06128/700
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