VIA und TSMC mit ersten Wafer für 0,13 Mikron-Prozessoren

VIA Technologies und Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) haben die Auslieferung der nach eigenen Angaben ersten einsatzfertigen 0,13 Mikron-Wafer der Halbleiterindustrie bekannt gegeben. Die nächste Generation der Cyrix-Prozessoren von VIA sollen auf dieser Technologie basieren.

Die neuen Cyrix-Chips wurden unter Verwendung von TSMCs CL013LV-Technik entwickelt. Durch dieses Fertigungsverfahren soll sowohl ihre Rechenleistung gesteigert, als auch der Energiebedarf gesenkt wird. TSMCs komplettes Angebot im Bereich der 0,13 Mikron-Fertigung umfasst Technologien für Prozessorkerne (CL013G), Energieverbrauchssenkung (CL013LP) und Hochleistung (CL013LV).

TSMCs 0,13 Mikron-Prozess ermöglicht nach eigenen Angaben eine 72-prozentige Verkleinerung gegenüber der herkömmlichen 0,18 Mikron-Technologie. Das erlaubt eine höhere Dichte an Logikbausteinen pro Quadratmillimeter, was bei gleichzeitig optimierter Performance zu einer höheren Integration auf der Systemebene führt. Der 0,13 Mikron-Prozess umfasst eine Kernspannung von 1,0 Volt, 2,5 oder 3,3 Volt für I/Os, eine Gattergröße von 0,08 Mikron, eine Ringoszillatorleistung mit 11 Pico-Sekunden Verzögerung kleiner Ringoszillatoren bei 1,2 Volt und 14 Pico-Sekunden/Gatter bei 1,0 Volt für den CL013LV-Prozess. Die Größe der integrierten 6T SRAM-Zellen beträgt 2,43 µm², was eine Verkleinerung um 52 Prozent gegenüber TSMCs 0,18 Mikron Technologie bedeutet.

TSMCs erstes Silizium in 0,13 Mikron Fertigung war ein 6T SRAM, der im November 1999 entwickelt wurde. Der Tape Out im September 2000 war laut dem Unternehmen die erste vollständige Fertigung unter Arbeitsbedingungen auf Grundlage einer Kundenspezifikation. „Durch die enge Partnerschaft mit TSMC wird VIA weltweit das erste Unternehmen sein, das eine CPU mit 0,13 Mikron-Technologie auf den Markt bringt“, erklärte der Via-Chef Wenchi Chen.

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