Infineon bringt Niedrigenergie DRAMs

Infineon (Börse Frankfurt: IFX) hat angekündigt, DRAM-Speicherbausteine für den Handheld-Markt zu produzieren, die bis zu 80 Prozent weniger Strom als ein Standard SDRAM-Chip verbrauchen sollen. Die „Mobile RAM“-Familie wird laut Infineon wenig Strom verbrauchen, geringe Kosten pro Bit aufweisen und eine vergleichsweise kleine Bauweise haben.

Das erste stromsparende Modul, das der Halbleiterhersteller auf den Markt bringt, besitzt eine Gesamtkapazität von 128 MBit und soll in Smart Phones, PDAs sowie anderen Handhelds eingesetzt werden. Die Speicherarchitektur ermöglicht die Verwendung mit 16 sowie 32 Bit-Busbreiten. Die ersten Muster des 128 MBit-Mobile-RAMs sollen im zweiten Quartal verfügbar sein. Die Massenproduktion plant der Hersteller für Ende 2001.

Der Platzbedarf des Mobile-RAMs im BGA-Gehäuse ist laut Infineon dreifach geringer als bei einem im Standard-TSOP-Gehäuse verpackten DRAM-Chip. Das Gehäuse ist mit acht auf neun Millimeter nur minimal größer als der Siliziumchip selbst.

Je nach Betriebsbedingungen und Systemdesign benötigt das Mobile-RAM laut dem amerikanischen Halbleiterhersteller bis zu 80 Prozent weniger Strom als ein Standard-SDRAM-Chip. Konkret heißt das: Während Standard SDRAMs mit 3,3 Volt betrieben werden, arbeiten die Mobile-RAMs bereits mit 2,5 Volt, die Ein-/Ausgangstreiber sogar mit 1,8 oder 2,5 Volt. Der geringere Leistungsverbrauch soll durch ein Chip-eigenes Power-Management und den reduzierten Bedarf der Ein-/Ausgabetreiber-Spannung ermöglicht werden.

Kontakt:
Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404