Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) kündigte heute an, seinen Münchner Corporate Research Labs sei der Nachweis gelungen, dass die bisher übliche Chip-Verdrahtungstechnologie auch für Halbleiter-Generationen der Jahre 2011 bis 2014 angewandt werden kann.
Auf den Chips der Zukunft sind die Metall-Leitungen für die elektrischen Verbindungen lediglich 40 bis 50 Nanometer schmal und – elektrisch voneinander isoliert – in Vertiefungen eines Filmmaterials eingebettet. Derart feine Metall-Leitungen werden für die kürzesten Verbindungen zwischen Transistoren eingesetzt.
Bei der Auswertung der Versuchsergebnisse konnte Infineons Corporate Research ausreichend kleine elektrische Widerstände feststellen. Damit wurde erstmals der Beweis erbracht, dass weder die Herstellung dieser ultraschmalen Verbindungen noch deren elektrischer Widerstand unüberwindbare technische Hindernisse für den weiteren Verkleinerungsprozess von Chips darstellen.
Da die Belichtungsgeräte für die Fertigung der Chip-Generationen der Jahre 2011 bis 2014 heute nicht zur Verfügung stehen, entschied sich Infineons Corporate Research für die sogenannte Spacer-Technik. Damit lassen sich Leiterbahnen mit Breiten realisieren, die weit unter denen liegen, die heutzutage selbst mit modernsten Belichtungsgeräten realisierbar sind.
So konnte das Labor nachweisen, dass sich die heute übliche Technik der Verdrahtung auch für zukünftige Chip-Generationen anwenden lässt. Bei diesem Verfahren werden in einer elektrisch isolierenden Schicht vorgefertigte
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