Erste Muster von Infineons Low-Power DRAM Verfügbar

Infineon (Börse Frankfurt: IFX) hat für seine neue Mobile-RAM-Produktlinie die Verfügbarkeit erster Muster mit einer Speicherkapazität von 128 MBit angekündigt. Mobile-RAMs sind synchrone DRAMs (SDRAMs) mit besonders geringer Stromaufnahme. Die Produkte sind im 54-poligen Fine-Pitch Ball-Grid-Array- (FBGA) Gehäuse verfügbar, das dem neuen „Joint Electron Device Engineering Council“ (JEDEC) Standard für Low Power DRAMs entspricht. Mobile-RAMs wurden für den Einsatz in batteriebetriebenen, tragbaren Geräten entwickelt.

Im Vergleich zum Thin-Small-Outline-Package (TSOP) Gehäuse von Standard-SDRAMs spart das acht mal neun Millimeter große FBGA-Gehäuse nach Angaben der Siemens-Tochter zwei Drittel der Fläche auf der Leiterplatte ein. Je nach Betriebsbedingungen und Systemdesign kann sich die Leistungsaufnahme um bis zu 80 Prozent reduzieren. Erreicht wird dies durch die Reduktion der Betriebsspannung auf 2,5 Volt und der Ein-/Ausgangsspannung auf 1,8 Volt beziehungsweise 2,5 Volt sowie einem speziellen Power-Management. Der neue JEDEC-Standard für Low-Power SDRAMs schließt diese Features wie auch das FBGA-Gehäuse ein.

„Mit dem Mobile-RAM folgen wir konsequent unserer Strategie, das DRAM-Produkt-Spektrum von Infineon weiter zu diversifizieren“, erklärte Produktmanager Axel Hahn. Seit der Standardisierung des neuen Low-Power SDRAM durch JEDEC unterstützten industrieweit auch andere Hersteller von Chipsets und Betriebssystemen den neuen Standard, so Hahn.

Infineon bietet derzeit das 128 MBit Mobile-RAM in der x8- und x16-Organisation an. Für das kommende Jahr ist die 256-MBit-Version des Mobile-RAMs geplant, die für die gestiegenen Speicheranforderungen der nächsten PDA-Generation entwickelt wird.

Die ersten Muster des 128-MBit Mobile-RAMs sind zum Einzelpreis von 15,50 Euro verfügbar. Die Aufnahme der Stückzahlproduktion ist für Ende 2001 geplant.

Kontakt:
Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404 (günstigsten Tarif anzeigen)