Auch AMD präsentiert Double Gate-Transistor

Das Rennen in den Mikrokosmos ist in vollem Gange: Nur einen Tag, nachdem IBM (Börse Frankfurt: IBM) einen Prototypen eines Double Gate-Prozessors vorstellte und gerade einmal einen Tag vor Intel (Börse Frankfurt: INL), der ähnliches auf seinem aktuellen (IDF) zu tun gedenkt, hat auch AMD (Börse Frankfurt: AMD) einen eigenen Winzling vorgestellt: Der frisch entwickelter Double Gate-Transistor bringe es gerade Mal auf zehn Nanometer. Damit hätten nach Unternehmensangaben 100 Millionen solcher Transistoren auf einem einzigen Chip Platz.

Transistoren sind bekanntlich die an/aus-Schaltungen auf Mikroprozessoren. Double Gate-Transistoren verdoppeln diese Leistung. Der gestern bereits von IBM angeführte Fin Field Effect-Transistor (Fin-Fet) stützt sich auf eine vertikale Siliziumschicht, die im „Aus“-Modus den Fluss von Energie verhindern soll. „Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet an der Herausforderung immer kleinerer und leistungsfähigerer Chips. Gleichzeitig sollte die Fertigungstechnik nur unwesentlich von heutigen Produktionsprozessen abweichen. Fin Fet-Transistoren scheinen zu belegen, dass wir auch künftig hochwertige Performance unter Beibehalt der grundlegenden technologischen Infrastruktur liefern können“, erklärte AMDs Entwicklungschef Craig Sander.

AMD will zusammen mit der University of California auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) ein Whitepaper mit dem Titel „Fin-Fet Scaling to 10 nm Gate Length“ vorstellen. Das Meeting findet vom 9. bis zum 11. Dezember in San Francisco statt.

Kontakt: AMD, Tel.: 089/ 450530 (günstigsten Tarif anzeigen)